Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Os componentes da eletrônica de NE5532P lascam a eletrônica de IC
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS DE BAIXO NÍVEL DE RUÍDO DUPLOS
Uma parte da lista conservada em estoque
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | AFIADO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORTE 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | SI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | SI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | SI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| TAMPÃO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| TAMPÃO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | BANDEJA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| TAMPÃO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | SI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| TAMPÃO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| TAMPÃO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L do RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| TAMPÃO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
CARACTERÍSTICAS
Tipo entrado equivalente da tensão 5 nV/√Hz do ruído em 1 quilohertz?
Largura de banda do Unidade-ganho… 10 megahertz de tipo?
Tipo do DB 100 da relação de rejeção do Comum-modo…
? Ganho alto da tensão de C.C.… tipo de 100 V/mV?
Tipo do balanço 32 V da tensão da saída do Pico-à-pico
Com VCC± = ±18 V e RL = Ω 600
? Taxa de pântano alta… tipo de 9 V/µs?
Escala larga… ±3 V da Fonte-tensão a ±20 V
DESCRIÇÃO GERAL
As famílias de K6X8008C2B são fabricadas por SAMSUNG¢s avançaram a tecnologia de processamento completa do CMOS. As famílias apoiam a vária variação da temperatura de funcionamento para a flexibilidade do usuário do projeto de sistema. As famílias igualmente apoiam a baixa tensão da retenção dos dados para a operação de apoio da bateria com a baixa retenção dos dados atual.
Avaliações máximas absolutas
Tensão de fonte (para ver a nota 1): VCC+……………………… 22 V
Tensão entrada, ou entrada (para ver as notas 1 e 2) VCC±…. -22V
Atual entrado (veja a nota 3)……………………. ±10 miliampère
A duração da saída procura um caminho mais curto (veja a nota 4) a impedância térmica…………… do pacote ilimitado,
θJA (veja as notas 5 e 6): Pacote 97 de D………………………. °C/W
Pacote 85 de P………………………. °C/W PICOSEGUNDO
pacote 95……………………… °C/W
Temperatura de junção virtual de funcionamento, TJ 150°C
Variação da temperatura do armazenamento, °C de Tstg −65 a 150°C