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MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 do transistor de poder do Mosfet de BSC046N10NS3G
Características
• Baixa carga mesma da porta para aplicações de alta frequência
• Aperfeiçoado para a conversão C.C.-C.C.
• N-canal, nível normal
• Produto excelente da carga x R DS da porta (sobre) (FOM)
• Baixa em-resistência mesma R DS (sobre)
• temperatura de funcionamento de 150 °C
• chapeamento Pb-livre da ligação; RoHS complacente
• Qualificado de acordo com JEDEC1) para a aplicação do alvo • Halogênio-livre de acordo com IEC61249-2-21