Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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MOSFETs duplos do MOSFET 30V N-CH NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet de CSD87312Q3E
CARACTERÍSTICAS
APLICAÇÕES
SUMÁRIO DO PRODUTO
|
Ta = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDADE |
||
|
VDS |
Drene à tensão da fonte |
30 |
V |
|
|
Qg |
Total da carga da porta (4.5V) |
6,3 |
nC |
|
|
Qgd |
Porta da carga da porta a drenar |
0,7 |
nC |
|
|
RDD (sobre) |
Drene para drenar na resistência (Q1+Q2) |
VGS = 4.5V |
31 |
mΩ |
|
VGS = 8V |
27 |
mΩ |
||
|
VGS (th) |
Tensão do ponto inicial |
1,0 |
V |
|
INFORMAÇÃO PEDINDO
|
Dispositivo |
Pacote |
Meios
|
Qty |
Navio |
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CSD87312Q3E |
FILHO pacote plástico de 3,3 x de 3.3mm |
13-no carretel do ch |
2500 |
Fita e carretel |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
|
Ta = 25°C |
VALOR |
UNIDADE |
|
|
VDS |
Drene à tensão da fonte |
30 |
V |
|
VGS |
Porta à tensão da fonte |
+10/-8 |
V |
|
Identificação |
(1) corrente contínua do dreno, TC = 25°C |
27 |
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IDM |
Corrente pulsada do dreno (2) |
45 |
|
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Paládio |
Dissipação de poder |
2,5 |
W |
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TJ, TSTG |
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energia da avalancha, única identificação =24A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω |
29 |
mJ |
DESCRIÇÃO
O CSD87312Q3E é 30V uma comum-fonte, dispositivo duplo do N-canal projetado para a proteção da entrada de adaptor/USB. Este FILHO dispositivo de 3,3 x de 3.3mm tem o baixo dreno para drenar a em-resistência que minimiza perdas e oferece a baixa contagem componente para aplicações forçadas espaço do carregamento de bateria da multi-pilha.