Este – 20-V, MOSFET do poder de NexFETTM de 7,7 mΩ é projetado minimizar perdas em aplicações da gestão da carga da conversão de poder com um FILHO 3,3 milímetros de × o pacote de 3,3 milímetros que oferece um desempenho térmico excelente para o tamanho do dispositivo.

Sumário do produto

Ta = 25°C		VALOR TÍPICO		UNIDADE
VDS	tensão da Dreno-à-fonte	– 20		V
Qg	Total da carga da porta (– 4,5 V)	7,5		nC
Qgd	Porta da carga da porta a drenar	1,1		nC
RDS (sobre)	Dreno-à-fonte na resistência	VGS = – 1,8 V	74	mΩ
		VGS = – 2,5 V	13,3	mΩ
		VGS = – 4,5 V	7,7	mΩ
Vth	Tensão do ponto inicial	– 0,9		V

Informação pedindo (1)

DISPOSITIVO	QTY	MEIOS	PACOTE	NAVIO
CSD25402Q3A	2500	carretel 13-Inch	FILHO 3,3 milímetros de × pacote plástico de 3,3 milímetros	Fita e carretel
CSD25402Q3AT	250	carretel 7-Inch	FILHO 3,3 milímetros de × pacote plástico de 3,3 milímetros	Fita e carretel

Avaliações máximas absolutas

Ta = 25°C		VALOR	UNIDADE
VDS	tensão da Dreno-à-fonte	– 20	V
VGS	tensão da Porta-à-fonte	+12 ou – 12	V
Identificação	Corrente contínua do dreno, TC = 25°C	– 76
	Corrente contínua do dreno (limite do pacote)	– 35
	Corrente contínua do dreno (1)	– 15
IDM	Corrente pulsada do dreno (2)	– 148
Paládio	Dissipação de poder (1)	2,8	W
Paládio	Dissipação de poder, TC = 25°C	69	W
TJ	Temperatura de junção de funcionamento	– 55 a 150	°C
Tstg	Temperatura de armazenamento	– 55 a 150	°C

Motorista Circuit do Mosfet do poder de CSD25402Q3A 650 milivolt, transistor do Mosfet do poder superior

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Microplaquetas do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de poder de IGBT

O amplificador IC lasca-se

microplaquetas eletrônicas do CI

Componentes eletrônicos

Motorista Circuit do Mosfet do poder de CSD25402Q3A 650 milivolt, transistor do Mosfet do poder superior

high current mosfet driver

5401dm transistor ford

5401dm transistor