Este 1,8 mΩ, MOSFET do poder de 60-V NexFETTM é projetado minimizar perdas em aplicações da conversão de poder com um FILHO 5 milímetros de × pacote de 6 milímetros.

Sumário do produto

Ta = 25°C		VALOR TÍPICO		UNIDADE
VDS	Tensão da Dreno-à-fonte	60		V
Qg	Total da carga da porta (10 V)	41		nC
Qgd	Porta-à-dreno da carga da porta	6,7		nC
RDS (sobre)	Dreno-à-fonte na resistência	VGS = 4,5 V	2,6	mΩ
		VGS =10V	1,8
VGS (th)	Tensão do ponto inicial	1,9		V

Informação do dispositivo

DISPOSITIVO	QTY	MEIOS	PACOTE	NAVIO
CSD18540Q5B	2500	carretel 13-Inch	FILHO 5,00 milímetros de × pacote plástico de 6,00 milímetros	Fita e carretel
CSD18540Q5BT	250	carretel 7-Inch		Fita e carretel

Avaliações máximas absolutas

Ta = 25°C		VALOR	UNIDADE
VDS	Tensão da Dreno-à-fonte	60	V
VGS	Tensão da Porta-à-fonte	±20	V
Identificação	Corrente contínua do dreno (pacote limitado)	100
	Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C	205
	Corrente contínua do dreno (1)	29
IDM	Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2)	400
Paládio	Dissipação de poder (1)	3,8	W
Paládio	Dissipação de poder, TC = 25°C	188	W
TJ, Tstg	Junção de funcionamento, temperatura de armazenamento	– 55 a 175	°C
EAS	Energia da avalancha, única identificação =80A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω	320	mJ

Transistor do Mosfet do poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr do circuito do Mosfet do canal de N

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Microplaquetas do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de poder de IGBT

O amplificador IC lasca-se

microplaquetas eletrônicas do CI

Componentes eletrônicos

Transistor do Mosfet do poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr do circuito do Mosfet do canal de N

rfp70n06 mosfet

snubber circuit for igbt

npn transistor number