MΩ 10 máximo do RDS (sobre) = em VGS = -10 V, identificação = -11,5 A
Máximo r = mΩ 18 em V = -4,5 V, mim = -8,5 Um DS (em) GS D
Nível da proteção de HBM ESD de 8 quilovolts típico (nota 3)
Escala prolongada de VGSS (- 25 V) para aplicações da bateria
Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (sobre)
Poder superior e capacidade de manipulação atual
A terminação é sem chumbo e RoHS complacente

Descrição geral

O FDMC6679AZ foi projetado minimizar perdas em aplicações do interruptor da carga. Os avanços em tecnologias do silicone e do pacote foram combinados para oferecer o mais baixo RDS (sobre) e a proteção do ESD.

Aplicações

Interruptor da carga no caderno e no servidor
Gestão do poder do bloco da bateria do caderno

Etiquetas de Produtos:

p channel power mosfet

p enhancement mosfet model

n channel power mosfet

Inquiry Cart 0

Trincheira complacente do poder do canal do transistor de poder -30V do Mosfet de FDMC6679AZ RoHS P

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Microplaquetas do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de poder de IGBT

O amplificador IC lasca-se

microplaquetas eletrônicas do CI

Componentes eletrônicos

Trincheira complacente do poder do canal do transistor de poder -30V do Mosfet de FDMC6679AZ RoHS P

p channel power mosfet

p enhancement mosfet model

n channel power mosfet