Tecnologia protegida do MOSFET da porta
MaxrDS (sobre) =4.2mΩat VGS =10V, identificação =44A
MaxrDS (sobre) =12mΩat VGS =6V, identificação =22A
ADICIONE
50%
um mais baixo Qrr do que outros fornecedores do MOSFET abaixa o interruptor noise/EMI
Projeto de pacote MSL1 robusto
100% UIL testou
RoHS complacente

Descrição geral

Este MOSFET do milivolt do N-canal é produzido usando o processo avançado do ® do PowerTrench do semicondutor de Fairchild que incorpora a tecnologia protegida da porta. Este processo foi aperfeiçoado para minimizar a resistência do em-estado no entanto para manter o desempenho de comutação superior com melhor no diodo macio do corpo da classe.

Aplicações

MOSFET preliminar de DC-DC
Retificador síncrono movimentação no motor de DC-DC e de AC-DC
Solar

Etiquetas de Produtos:

Transistor do Mosfet do canal de FDMS86181 N, motorista Circuit Shielded Gate do motor do Mosfet

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

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Módulo de poder de IGBT

O amplificador IC lasca-se

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Componentes eletrônicos

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mosfet gate driver design

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