Este MOSFET do N-canal foi projetado especificamente melhorar a eficiência total de conversores de DC/DC usando controladores síncronos ou convencionais do interruptor PWM.

Estes MOSFETs caracterizam um interruptor mais rápido e uma mais baixa carga da porta do que outros MOSFETs com especificações comparáveis do RDS (SOBRE). O resultado é projetos da fonte de uma alimentação do MOSFET que é fácil e mais seguro de conduzir (mesmo em altas frequências mesmas), e do DC/DC com eficiência total mais alta.

Aplicações

• DC/DCconverter

• Motordriving

Características

3.7A, 100V. RDS (SOBRE) =120MΩ@VGS =10V RDS (SOBRE) =130MΩ@VGS =6V
Fastswitchingspeed
Lowgatecharge (14nCtyp)
Highperformancetrenchtechnologyforextremely baixo RDS (SOBRE)
Poder superior e capacidade de manipulação atual em um pacote de superfície amplamente utilizado da montagem

Etiquetas de Produtos:

Configuração de alta tensão de NCh PowerTrench do transistor de poder do Mosfet FDT3612 única

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Microplaquetas do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de poder de IGBT

O amplificador IC lasca-se

microplaquetas eletrônicas do CI

Componentes eletrônicos

Configuração de alta tensão de NCh PowerTrench do transistor de poder do Mosfet FDT3612 única

p55nfo power mosfet

irf520 mosfet

2sa1535 pnp power transistor