Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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MOSFET do poder de NexFET do N-canal do MOSFET 40V do transistor de poder do Mosfet de CSD18504Q5A
Características 1
Baixa resistência térmica
Avalancha avaliada
Nível da lógica
Chapeamento terminal livre do Pb
RoHS complacente
Halogênio livre
FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros
2 aplicações
Conversão de DC-DC
Retificador síncrono lateral secundário
Controlo do motor da bateria
Descrição 3
Este 5,3 mΩ, × do FILHO 5 6 milímetros, MOSFET do poder de 40 V NexFETTM é projetado minimizar perdas em aplicações da conversão de poder.
Sumário do produto
|
Ta = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDADE |
||
|
VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
40 |
V |
|
|
Qg |
Total da carga da porta (4,5 V) |
7,7 |
nC |
|
|
Qgd |
Porta-à-dreno da carga da porta |
2,4 |
nC |
|
|
RDS (sobre) |
Em-resistência da Dreno-à-fonte |
VGS = 4,5 V |
7,5 |
mΩ |
|
VGS =10V |
5,3 |
mΩ |
||
|
VGS (th) |
Tensão do ponto inicial |
1,9 |
V |
|
Informação pedindo
|
Dispositivo |
Qty |
Meios |
Pacote |
Navio |
|
CSD18504Q5A |
2500 |
carretel 13-Inch |
FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros |
Fita e carretel |
|
CSD18504Q5AT |
250 |
carretel 7-Inch |
Avaliações máximas absolutas
|
Ta = 25°C |
VALOR |
UNIDADE |
|
|
VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
40 |
V |
|
VGS |
Tensão da Porta-à-fonte |
±20 |
V |
|
Identificação |
Corrente contínua do dreno (pacote limitado) |
50 |
|
|
Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C |
75 |
||
|
Corrente contínua do dreno (1) |
15 |
||
|
IDM |
Corrente pulsada do dreno (2) |
275 |
|
|
Paládio |
Dissipação de poder (1) |
3,1 |
W |
|
Dissipação de poder, TC = 25°C |
77 |
||
|
TJ, Tstg |
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energia da avalancha, única identificação =43A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω |
92 |
mJ |