Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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MOSFET N-Ch do transistor de poder do Mosfet STP55NF06 60 volts 55 ampères

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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MOSFET N-Ch do transistor de poder do Mosfet STP55NF06 60 volts 55 ampères

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Number modelo :STP55NF06
Quantidade de ordem mínima :Contacte-nos
Termos do pagamento :Paypal, Western Union, TT
Capacidade da fonte :50000 partes pelo dia
Prazo de entrega :Os bens serão enviados no prazo de 3 dias receberam uma vez o fundo
Detalhes de empacotamento :TO-220
Descrição :MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
RDS - na resistência da Dreno-fonte :18 mOhms
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte :2 V
Vgs - tensão da Porta-fonte :10 V
Qg - carga da porta :44,5 nC
Temperatura de funcionamento mínima :- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo :+ 175 C
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MOSFET N-Ch do transistor de poder do Mosfet STP55NF06 60 volts 55 ampères

Características

Código de ordem VDSS Máximo do RDS (sobre). Identificação
STB55NF06 60 V < 0="">50 A
STP55NF06
STP55NF06FP

1. Refira o soa para o valor atual permissível máximo no FP-tipo devido ao valor de Rth

  • a avalancha 100% testou
  • Capacidade excepcional de dv/dt

Aplicações

  • Aplicação de comutação

Descrição

Estes MOSFETs do poder foram desenvolvidos usando o processo original do STripFET de STMicroelectronics, que é projetado especificamente minimizar a capacidade da entrada e a carga da porta. Isto torna os dispositivos apropriadas para o uso como o interruptor preliminar em conversores isolados de grande eficacia avançados da C.C. da C.C. para telecomunicações e aplicações informáticas, e aplicações com a baixa carga da porta que conduz exigências.

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