Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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MOSFETs do poder do MOSFET 30V N-Ch NexFET do transistor de poder do Mosfet de CSD17556Q5B
Características 1
Ultra-baixos Qg e Qgd
Resistência Baixo-térmica
Avalancha avaliada
Chapeamento terminal sem chumbo
RoHS complacente
Halogênio livre
FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros
2 aplicações
Ponto do fanfarrão síncrono da carga nos trabalhos em rede, nas telecomunicações, e nos sistemas de computação
Correção síncrono
Aplicações ativas do anel-O e do Hotswap
Descrição 3
Este 30-V, 1,2 mΩ, MOSFET de um poder de 5 milímetros NexFETTM do × 6 do milímetro é projetado minimizar perdas na correção síncrono e nas outras aplicações da conversão de poder.
Sumário do produto
|
Ta = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDADE |
||
|
VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
|
|
Qg |
Total da carga da porta (4,5 V) |
30 |
nC |
|
|
Qgd |
Porta-à-dreno da carga da porta |
7,5 |
nC |
|
|
RDS (sobre) |
Em-resistência da Dreno-à-fonte |
VGS = 4,5 V |
1,5 |
mΩ |
|
VGS =10V |
1,2 |
|||
|
VGS (th) |
Tensão do ponto inicial |
1,4 |
V |
|
Informação do dispositivo
|
DISPOSITIVO |
QTY |
MEIOS |
PACOTE |
NAVIO |
|
CSD17556Q5B |
2500 |
carretel 13-Inch |
FILHO 5,00 milímetros de × pacote plástico de 6,00 milímetros |
Fita e carretel |
|
CSD17556Q5BT |
250 |
Avaliações máximas absolutas
|
Ta = 25°C |
VALOR |
UNIDADE |
|
|
VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
|
VGS |
Tensão da Porta-à-fonte |
±20 |
V |
|
Identificação |
Corrente contínua do dreno (pacote limitado) |
100 |
|
|
Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C |
215 |
||
|
Corrente contínua do dreno (1) |
34 |
||
|
IDM |
Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (1) (2) |
400 |
|
|
Paládio |
Dissipação de poder (1) |
3,1 |
W |
|
Dissipação de poder, TC = 25°C |
191 |
||
|
TJ, Tstg |
Junção de funcionamento, temperatura de armazenamento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energia da avalancha, única identificação =100A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω |
500 |
mJ |