Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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MOSFET do poder de NexFET do canal do MOSFET 30V N do transistor de poder do Mosfet CSD17313Q2
Características 1
Ultra-baixos Qg e Qgd
Baixa resistência térmica
Pb-livre
RoHS complacente
Halogênio-livre
FILHO 2 milímetros de × pacote plástico de 2 milímetros
2 aplicações
Conversores de DC-DC
Aplicações da gestão da bateria e da carga
Descrição 3
Este 30-V, 24 mΩ, 2 milímetros x MOSFET do poder de NexFETTM do FILHO de 2 milímetros é projetado minimizar perdas em aplicações da conversão de poder e aperfeiçoado para aplicações da movimentação da porta 5-V. O × de 2 milímetros FILHO de 2 milímetros oferece o desempenho térmico excelente para o tamanho do pacote.
Sumário do produto
(1) para todos os pacotes disponíveis, veja o addendum orderable na extremidade da folha de dados.
|
Ta = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDADE |
||
|
VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
|
|
Qg |
Total da carga da porta (4,5 V) |
2,1 |
nC |
|
|
Qgd |
Porta-à-dreno da carga da porta |
0,4 |
nC |
|
|
RDS (sobre) |
Dreno-à-fonte na resistência |
VGS = 3 V |
31 |
mΩ |
|
VGS = 4,5 V |
26 |
mΩ |
||
|
VGS = 8 V |
24 |
mΩ |
||
|
VGS (th) |
Tensão do ponto inicial |
1,3 |
V |
|
Informação pedindo
|
NÚMERO DA PEÇA |
QTY |
MEIOS |
PACOTE |
NAVIO |
|
CSD17313Q2 |
3000 |
carretel 13-Inch |
FILHO 2 milímetros de × pacote plástico de 2 milímetros |
Fita e carretel |
|
CSD17313Q2T |
250 |
carretel 7-Inch |
Avaliações máximas absolutas
|
Ta = 25°C |
VALOR |
UNIDADE |
|
|
VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
|
VGS |
Tensão da Porta-à-fonte |
+10/– 8 |
V |
|
Identificação |
Corrente contínua do dreno (pacote limitado) |
5 |
|
|
Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C |
19 |
||
|
Corrente contínua do dreno (1) |
7,3 |
||
|
IDM |
Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2) |
57 |
|
|
Paládio |
Dissipação de poder (1) |
2,4 |
W |
|
Dissipação de poder, TC = 25°C |
17 |
||
|
TJ, TSTG |
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energia da avalancha, único pulso, identificação =19A, L=0.1mH, RG =25Ω |
18 |
mJ |