Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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MOSFET 30V do MOSFET do transistor de poder do Mosfet CSD17575Q3, MOSFET de NexFET Pwr do N-canal
Características 1
Baixo RDS (sobre)
Baixa resistência térmica
Avalancha avaliada
Chapeamento terminal livre do Pb
RoHS complacente
Halogênio livre
FILHO 3,3 milímetros de × pacote plástico de 3,3 milímetros
2 aplicações
Ponto da carga Buck Converter síncrono para aplicações nos trabalhos em rede, nas telecomunicações, e nos sistemas de computação
Aperfeiçoado para aplicações síncronos do FET
Descrição 3
Este 1,9 mΩ, 30 V, MOSFET do poder do FILHO 3×3 NexFETTM são projetados minimizar perdas em aplicações da conversão de poder.
Sumário do produto
| Ta = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDADE | ||
| VDS | Tensão da Dreno-à-fonte | 30 | V | |
| Qg | Total da carga da porta (4.5V) | 23 | nC | |
| Qgd | Porta-à-dreno da carga da porta | 5,4 | nC | |
| RDS (sobre) | Dreno-à-fonte na resistência | VGS = 4,5 V | 2,6 | mΩ |
| VGS =10V | 1,9 | |||
| Vth | Tensão do ponto inicial | 1,4 |
V |
|
Informação pedindo
|
Dispositivo |
Meios |
Qty |
Pacote |
Navio |
|
CSD17575Q3 |
carretel 13-Inch |
2500 |
× do FILHO 3,3 pacote plástico de 3,3 milímetros |
Fita e carretel |
|
CSD17575Q3T |
carretel 13-Inch |
250 |
|
Ta = 25°C |
VALOR |
UNIDADE |
|
|
VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
|
VGS |
Tensão da Porta-à-fonte |
±20 |
V |
|
Identificação |
Corrente contínua do dreno (limite do pacote) |
60 |
|
|
Corrente contínua do dreno (limite) do silicone, TC = 25°C |
182 |
||
|
Corrente contínua do dreno (1) |
27 |
||
|
IDM |
Corrente pulsada do dreno (2) |
240 |
|
|
Paládio |
Dissipação de poder (1) |
2,8 |
W |
|
Dissipação de poder, TC = 25°C |
108 |
||
|
TJ, Tstg |
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energia da avalancha, única identificação =48 do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω |
115 |
mJ |