Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 do transistor de poder do Mosfet SI4425DDY-T1-GE3
CARACTERÍSTICAS
MOSFET do poder de TrenchFET®
100% Rg testado
APLICAÇÕES
•Interruptores da carga
- PCes do caderno
- PCes Desktop
|
SUMÁRIO DO PRODUTO |
|||
|
VDS (v) |
RDS (sobre) (Ω) |
Identificação (A) a |
Qg (tipo.) |
|
- 30 |
0,0098 em VGS = 10 V |
- 19,7 |
27 nC |
|
0,0165 em VGS = 4,5 V |
- 15,2 |
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|
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS Ta = °C 25, salvo disposição em contrário |
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|
Parâmetro |
Símbolo |
Limite |
Unidade |
|
|
Tensão da Dreno-fonte |
VDS |
- 30 |
V |
|
|
Tensão da Porta-fonte |
VGS |
± 20 |
||
|
Corrente contínua do dreno (TJ = °C) 150 |
TC =25°C |
Identificação |
- 19,7 |
|
|
TC =70°C |
- 15,7 |
|||
|
Ta = °C 25 |
- 13b, c |
|||
|
Ta = °C 70 |
- 10.4b, c |
|||
|
Corrente pulsada do dreno |
IDM |
- 50 |
||
|
Corrente de diodo contínua do Fonte-dreno |
TC =25°C |
É |
- 4,7 |
|
|
Ta = °C 25 |
- 2.1b, c |
|||
|
Dissipação de poder máxima |
TC =25°C |
Paládio |
5,7 |
W |
|
TC =70°C |
3,6 |
|||
|
Ta = °C 25 |
2.5b, c |
|||
|
Ta = °C 70 |
1.6b, c |
|||
|
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento |
TJ, Tstg |
- 55 a 150 |
°C |
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AVALIAÇÕES DA RESISTÊNCIA TÉRMICA |
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Parâmetro |
Símbolo |
Típico |
Máximo |
Unidade |
|
|
Máximo Junção-a-Ambientb, d |
≤ 10 s de t |
RthJA |
35 |
50 |
°C/W |
|
Junção-à-pé máximo (dreno) |
De estado estacionário |
RthJF |
18 |
22 |
|