Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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A micro memória Flash CI lasca a série de SST25VF080B 8 Mbit SPI com frequência de pulso de disparo de alta velocidade

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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A micro memória Flash CI lasca a série de SST25VF080B 8 Mbit SPI com frequência de pulso de disparo de alta velocidade

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Number modelo :SST25VF080B-50-4C-S2AF
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :100000pcs
Prazo de entrega :1-3days
Detalhes de empacotamento :CAIXA
Descrição :Memória Flash IC 8Mbit SPI 50 megahertz 8-SOIC
Série :SST25VF080B-50-4C-S2AF
Tensão :2.7-3.6V
Característica :Consumo da baixa potência
Capacidade de memória :8M-bit
Aplicação :Monitores do LCD, tevê do tela plano, impressoras, GPS, MP3
Pacote :SOIC8 DIP8
Frequência de pulso de disparo :50/66 de megahertz
Relação :Flash de série de SPI
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Flash de série do microchip SST25VF080B 8 Mbit SPI de IC da microplaqueta de memória Flash com frequência de pulso de disparo de alta velocidade

DESCRIÇÕES GERAIS

a família instantânea de série de 25 séries caracteriza uma de quatro fios, a relação de SPIcompatible que permite um baixo pacote da pino-contagem que ocupe menos espaço da placa e abaixe finalmente custos de sistema totais. Os dispositivos de SST25VF080B são aumentados com consumo de frequência de funcionamento melhorada e de uma mais baixa potência. As memórias Flash de série de SST25VF080B SPI são fabricadas com tecnologia proprietária, de capacidade elevada do CMOS SuperFlash. O injetor do encapsulamento do projeto e do grosso-óxido da pilha da separação-porta alcança a melhor confiança e o manufacturability comparados com as aproximações alternativas.

Os dispositivos de SST25VF080B melhoram significativamente o desempenho e a confiança, ao abaixar o consumo de potência. Os dispositivos escrevem (o programa ou apaga) com uma única fonte de alimentação de 2.7-3.6V para SST25VF080B. A energia total consumida é uma função da tensão aplicada, atual, e da época da aplicação. Desde para toda a escala dada da tensão, a tecnologia de SuperFlash usa menos atual para programar e tem um mais curto apaga o tempo, a energia total consumida durante alguns apaga ou programa a operação é menos do que tecnologias de memória Flash alternativas.

O dispositivo de SST25VF080B é oferecido 8 na ligação SOIC (200 mil.), 8 o contato WSON (6mm x 5mm), e os 8 pacotes da ligação PDIP (300 mil.).

CARACTERÍSTICAS

• Única tensão lida e para escrever operações
- 2.7-3.6V

• Arquitetura da relação de série
- SPI compatível: Modo 0 e modo 3

• Frequência de pulso de disparo de alta velocidade
- 50/66 de megahertz condicional

• Confiança superior
- Resistência: 100.000 ciclos (típico)
- Maior de 100 anos de retenção dos dados

• Consumo da baixa potência:
- Corrente lida ativa: 10 miliampères (típico)
- Corrente à espera: µA 5 (típico)

• Flexível apague a capacidade
- 4 setores uniformes do KByte
- 32 blocos uniformes da folha de prova do KByte
- 64 blocos uniformes da folha de prova do KByte

• Apague rapidamente e Byte-programa:
- Microplaqueta-apague o tempo: Senhora 35 (típica)
- Tempo de Setor-/Block-Erase: Senhora 18 (típica)
- Tempo do Byte-programa: 7 µs (típicos)

• Auto programação do incremento do endereço (AAI)
- Tempo de programação da microplaqueta do total da diminuição sobre operações do Byte-programa
A disposição da memória de SST25VF080B SuperFlash é organizada no uniforme 4 setores apagáveis do KByte com 32 blocos da folha de prova do KByte e o KByte 64 cobre blocos apagáveis.

Inventário adicional de CM GROUP:

SST25VF080B-50-4C-S2AF
SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
SST25VF080B-50-4I-S2AF
SST25VF080B-50-4I-S2AF-T
SST25VF080B-50-4I-S2AE
SST25VF080B-50-4I-S2AE-T
SST25VF080B-50-4C-QAF
SST25VF080B-50-4C-QAF-T
SST25VF080B-50-4I-QAF
SST25VF080B-50-4I-QAF-T
SST25VF080B-50-4I-QAE
SST25VF080B-50-4I-QAE-T
SST25VF080B-50-4C-PAE
SST25VF080B-50-4C-PAE-T

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