Os dispositivos são fabricados na tecnologia planar com “disposição da ilha baixa” e configuração monolítica de DarliCM GROUPon. Os transistor resultantes mostram o desempenho alto excepcional do ganho acoplados com tensão de saturação muito baixa.

Características

Projetado para aplicações lineares e comutando de uso geral.

Baixa tensão de saturação do coletor-emissor

NPN complementar - transistor de PNP

Aplicações

Linear de uso geral e comutação

Etiquetas de Produtos:

tip122 darlington transistor

raney ni catalyst

npn darlington transistors

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O transistor de poder alto NPN do Mosfet do desempenho do ganho DarliCM GROUPon TIP122 ROHS aprovou

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Microplaquetas do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de poder de IGBT

O amplificador IC lasca-se

microplaquetas eletrônicas do CI

Componentes eletrônicos

O transistor de poder alto NPN do Mosfet do desempenho do ganho DarliCM GROUPon TIP122 ROHS aprovou

? Transistor de poder dos transistor TIP122 DarliCM GROUPon NPN 100V 5A 2000mW TO220 do MOSFET

Descrição

Características

tip122 darlington transistor

raney ni catalyst

npn darlington transistors