Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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Transistor sem chumbo do Mosfet do canal de N, transistor de alta velocidade IRF640NPBF do Mosfet de 200V 18A

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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Transistor sem chumbo do Mosfet do canal de N, transistor de alta velocidade IRF640NPBF do Mosfet de 200V 18A

Pergunte o preço mais recente
Number modelo :IRF640NPBF
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :100000pcs
Prazo de entrega :1-3days
Detalhes de empacotamento :CAIXA
Descrição :N-canal 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) através do furo TO-220AB
Série :MOSFET N-CH do transporte
Aplicação :Aplicações Comercial-industriais
Pacote :Transporte do MERGULHO
Tensão :200V
Qualidade :Baixa Em-resistência pelo silicone
Atual :18A
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Canal 200V 18A do transporte N do MERGULHO de IRF640NPBF que comuta o transistor de poder do MOSFET

Descrição

O MOSFET s do poder do ® da quinta geração HEXFET do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.
O D2Pakéumpacotede superfíciedopoderdamontagemcapazdaacomodaçãoa morrertamanhosatéHEX-4. Forneceacapacidadedopodero mais altoeomais baixopossívelnaresistênciaemtodo opacotede superfícieexistentedamontagem. OD2Pakéapropriadoparaaplicaçõesatuaisaltasdevidoasuabaixaresistênciainternadaconexãoepodedissipar-seaté2.0Wem umaaplicaçãode superfícietípicadamontagem.
A versão do através-furo (IRF640NL) está disponível para a aplicação do perfil baixo.


Característica

l avançou a tecnologia de processamento

l avaliação dinâmica de dv/dt
l 175°C que opera o emperature de T

l interruptor rápido

l inteiramente avalancha avaliada
l facilidade da paralelização
l exigências simples da movimentação

l sem chumbo

Pacote

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