![China MOSFET II duplo do ohm TO-220 PowerMESH do N-CANAL 600V 1,8 do transistor do Mosfet do poder do mosfet do poder IRFBC30] wholesale](https://img.everychina.com/nimg/f2/9d/b4922e2036207289a4eaa0c5b6de-300x300-1/irfbc30_dual_power_mosfet_power_mosfet_transistor_n_channel_600v_1_8_ohm_to_220_powermesh_ii_mosfet.jpg)
Add to Cart
IRFBC30
N - CANAL 600V - Ω 1,8 - 3.6A - MOSFET de TO-220 PowerMESHTM ΙΙ
TIPO | VDSS | RDS (sobre) | Identificação |
IRFBC30 | 600 V | < 2=""> | 3,6 A |
TO-220
■Ω 1,8 TÍPICO do RDS (sobre) =
■CAPACIDADE EXTREMAMENTE ALTA de dv/dt
■A AVALANCHA 100% TESTOU
■BAIXAS CAPACIDADES INTRÍNSECAS MESMAS
■A CARGA DA PORTA MINIMIZOU
DESCRIÇÃO
O PowerMESHTM ΙΙ é a evolução da primeira geração da MALHA OVERLAYTM. Os refinamentos da disposição introduzidos extremamente para melhorar a figura de Ron*area de mérito ao manter o dispositivo na vanguarda para que velocidade de comutação dos interesses, carga da porta e aspereza.
APLICAÇÕES
■CORRENTE ALTA, INTERRUPTOR DE ALTA VELOCIDADE
■FONTES DE ALIMENTAÇÃO DO MODO DE SWITH (SMPS)
■CONVERSORES DE DC-AC PARA O EQUIPAMENTO DE SOLDADURA E AS FONTES DE ALIMENTAÇÃO ININTERRUPTA E O MOTORISTA DO MOTOR
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
VDS | tensão da Dreno-fonte (VGS = 0) | 600 | V |
VDGR | Tensão da porta do dreno (RGS = kΩ 20) | 600 | V |
VGS | tensão da Porta-fonte | ± 20 | V |
Identificação | Drene atual (contínuo) em Tc = o ℃ 25 | 3,6 | |
Identificação | Drene atual (contínuo) em Tc = o ℃ 100 | 2,3 | |
IDM (•) | Corrente do dreno (pulsada) | 14 | |
Ptot | Dissipação total em Tc = ℃ 25 | 75 | W |
Derating o fator | 0,6 | W/℃ | |
dv/dt (1) | Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo | 3 | V/ns |
Tstg | Temperatura de armazenamento | -65 a 150 | ℃ |
Tj | Temperatura de junção de Máximo Operating | 150 | ℃ |
(•) Largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro
(1) ISD ≤3.6 A, ≤ 60 A/µs de di/dt, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX de Tj
DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO
DADOS TO-220 MECÂNICOS