Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4

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Number modelo :STGB7NC60HDT4
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :7800pcs
Prazo de entrega :1 dia
Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes
Descrição :IGBT 600 V 25 A 80 W Montagem em superfície D2PAK
tensão do Coletor-emissor :600 V
Tensão do Emissor-coletor :20 V
tensão do Porta-emissor :±20 V
Corrente de coletor (pulsada) :50 A
Corrente dianteira do RMS do diodo em TC = 25°C :20 A
Temperatura de armazenamento :– °C 55 a 150
Temperatura de junção de funcionamento :– °C 55 a 150
Dissipação total em TC = 25°C :80 W
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Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
DS1245Y-100 1002 DALLAS 15+ TO-92
DS1990A-F5 1002 MÁXIMA 16+ LATA
ICL7135CPIZ 1002 INTERSIL 16+ MERGULHO
IRFP150NPBF 5000 IR 14+ TO-247
IRFP260NPBF 5000 IR 14+ TO-247
K847P 1002 VISHAY 14+ DIP16
LM301AN 1002 NS 16+ DIP8
LM35DT 1002 NS 16+ TO-220
MC34074AP 1002 EM 13+ DIP14
TC962CPA 1002 MICROCHIP 15+ DIP8
VB125ASP 1002 STM 16+ SOP-10
LT1084CT-12 1005 LT 16+ TO220
XC2C64A-7VQG44C 1005 XILINX 14+ QFP44
30344 560 BOSCH 14+ QFP
AT93C66A-10SQ-2.7 1008 ATMEL 14+ SOP8
NCP1200AP40 1008 EM 16+ DIP8
PCA82C250T/N4,118 3000 16+ SOP8
ADM5120PX-AB-T-2 1009 13+ QFP208
TDA8950J 1011 15+ ZIP23
HT8950 1012 HOLTEK 16+ MERGULHO
TDA7384 1012 ST 16+ FECHO DE CORRER
CS5550-ISZ 1022 CIRRO 14+ SSOP24
LF412CN 1022 NS 14+ DIP8
IR21141SSPBF 1031 IR 14+ SSOP24
XCF04SVOG20C 1034 XILINX 16+ CONCESSÃO
MC34084P 1050 EM 16+ DIP-14
DAC1220E 1077 SI 13+ SSOP16
AT91SAM7X256-AU 1088 ATMEL 15+ QFP
74LVX4245MTCX 1100 FSC 16+ TSSOP
ADM2582EBRWZ 1100 ANÚNCIO 16+ SOP-20

STGP7NC60HD

STGF7NC60HD - STGB7NC60HD

N-CANAL 14A - 600V - ² PAK de TO-220/TO-220FP/D

PowerMESH™ muito rápido IGBT

MAIS BAIXA GOTA de ON-VOLTAGE (Vcesat)

■FORA DAS PERDAS INCLUA A CORRENTE DA CAUDA

■AS PERDAS INCLUEM A ENERGIA DA RECUPERAÇÃO DO DIODO

■ABAIXE A RELAÇÃO DE CRES/CIES

■OPERAÇÃO DE ALTA FREQUÊNCIA ATÉ 70 quilohertz

■ANTI DIODO PARALELO DA RECUPERAÇÃO ULTRARRÁPIDO MACIA MESMA

■PRODUTOS DA NOVA GERAÇÃO COM DISTRIBUIÇÃO MAIS APERTADA DO PARÂMETRO

DESCRIÇÃO

Usando a tecnologia de alta tensão a mais atrasada baseada em uma disposição patenteada da tira, STMicroelectronics projetou uma família avançada de IGBTs, o PowerMESH™ IGBTs, com desempenhos proeminentes. O sufixo “H” identifica uma família aperfeiçoada para aplicações de alta frequência a fim conseguir os desempenhos de comutação muito altos (tfall reduzido) que mantaining uma gota da baixa tensão.

APLICAÇÕES

INVERSORES DE ALTA FREQUÊNCIA

■SMPS E PFC NOS AMBOS INTERRUPTOR DURO E TOPOLOGIAS RESSONANTES

■MOTORISTAS DO MOTOR

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Unidade

STGP7NC60HD

STGB7NC60HD

STGF7NC60HD
VCES Tensão do Coletor-emissor (VGS = 0) 600 V
VECR Tensão do Emissor-coletor 20 V
VGE Tensão do Porta-emissor ±20 V
IC Corrente de coletor (contínua) em TC = 25°C (#) 25 10
IC Corrente de coletor (contínua) em TC = 100°C (#) 14 6
ICM (? 1) Corrente de coletor (pulsada) 50
SE Corrente dianteira do RMS do diodo em TC = 25°C 20
PTOT Dissipação total em TC = 25°C 80 25 W
Derating o fator 0,64 0,20 W/°C
VISO

A isolação suporta a A.A. da tensão.

(t = 1 segundo; Tc = 25°C)

- 2500 V
Tstg Temperatura de armazenamento – 55 a 150 °C
Tj Temperatura de junção de funcionamento

(1?) largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.

Figura 1: Pacote

Figura 2: Diagrama esquemático interno

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