Estes dispositivos complementares são versões de um mais baixo poder transistor das saídas de áudio populares de NJW3281G e de NJW1302G. Com linearidades do ganho e desempenho superiores da área de funcionamento seguro, estes transistor são ideais para fases da saída do amplificador audio da alta fidelidade e outras aplicações lineares.

Características

•Área de funcionamento seguro excepcional

•Ganho de NPN/PNP que combina dentro de 10% de 50 miliampères a 3 A

•Linearidades excelentes do ganho

•BVCEO alto

•De alta frequência

•Estes são dispositivos Pb-livres Bene

Benefícios

•Desempenho seguro em poderes mais altos

•Características simétricas em configurações complementares •Reprodução exata do sinal entrado

•Maior alcance dinâmico

•App alto da largura de banda do amplificador

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

Avaliação	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão do Coletor-emissor	VCEO	250	VDC
Tensão da Coletor-base	VCBO	250	VDC
Tensão da Emissor-base	VEBO	5,0	VDC
Tensão do Coletor-emissor - 1,5 V	VCEX	250	VDC

Transistor de comutação complementar do Mosfet do poder de NJW0302G, NPN - transistor bipolares do poder de PNP

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Microplaquetas do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de poder de IGBT

O amplificador IC lasca-se

microplaquetas eletrônicas do CI

Componentes eletrônicos

Transistor de comutação complementar do Mosfet do poder de NJW0302G, NPN - transistor bipolares do poder de PNP

Transistor bipolares do poder complementar de NPN-PNP

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