Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| MAX191BCWG+ | 2338 | MÁXIMA | 16+ | SOIC-24 |
| MAX1932ETC+T | 3044 | MÁXIMA | 13+ | QFN |
| MAX232EIDR | 50000 | SI | 13+ | SOP-16 |
| MAX232IDW | 9003 | SI | 11+ | SOP-16 |
| MAX253CSA+ | 6562 | MÁXIMA | 14+ | SOP-8 |
| MAX3051EKA+T | 3853 | MÁXIMA | 14+ | SOT-23 |
| MAX3061EEKA | 4024 | MÁXIMA | 15+ | SOT23-8 |
| MAX3070EESD | 5557 | MÁXIMA | 16+ | SOP-14 |
| MAX31865ATP+T | 3707 | MÁXIMA | 16+ | QFN20 |
| MAX3221ECPWR | 3059 | SI | 16+ | TSSOP |
| MAX3224ECAP | 4095 | MÁXIMA | 16+ | SSOP-20 |
| MAX3232CPWR | 5697 | SI | 16+ | TSSOP |
| MAX3232CUE | 3986 | MÁXIMA | 16+ | TSSOP |
| MAX3232EIDR | 3667 | SI | 16+ | SOP-16 |
| MAX3238ECPWR | 8331 | SI | 10+ | TSSOP |
| MAX3243CDBR | 3590 | SI | 14+ | SSOP-28 |
| MAX3243ECDBR | 6741 | SI | 09+ | SSOP-28 |
| MAX32590-LNJ+ | 553 | MÁXIMA | 13+ | NA |
| MAX3311CUB | 2302 | MÁXIMA | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3311EEUB | 2324 | MÁXIMA | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3442EEPA+ | 3095 | MÁXIMA | 16+ | DIP-8 |
| MAX3442EESA+T | 5829 | MÁXIMA | 16+ | SOP-8 |
| MAX3486CSA | 15889 | MÁXIMA | 16+ | SOP-8 |
| MAX3490CSA+ | 11077 | MÁXIMA | 13+ | SOP-8 |
| MAX4080SASA+T | 15089 | MÁXIMA | 16+ | SOP-8 |
| MAX418CPD | 3034 | MÁXIMA | 14+ | DIP-14 |
| MAX4624EZT | 15171 | MÁXIMA | 16+ | SOT23-6 |
| MAX4663CAE | 2151 | MÁXIMA | 16+ | SSOP-16 |
| MAX472CPA | 4115 | MÁXIMA | 15+ | DIP-8 |
| MAX491CPD+ | 14840 | MÁXIMA | 16+ | DIP-14 |
STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK
MOSFET Zener-protegido de SuperMESH™Power
■Ω 1,76 TÍPICO do RDS (sobre) =
■CAPACIDADE EXTREMAMENTE ALTA de dv/dt
■A AVALANCHA 100% TESTOU
■A CARGA DA PORTA MINIMIZOU
■BAIXAS CAPACIDADES INTRÍNSECAS MESMAS
■BOM REPEATIBILITY DE FABRICAÇÃO MESMO
DESCRIÇÃO
A série de SuperMESH™ é obtida com uma otimização extrema de disposição stripbased bem conhecida do PowerMESH™ do ST. Além do que abaixar a em-resistência significativamente, especial é tomado para assegurar uma capacidade muito boa de dv/dt para as aplicações de exigência. Tal série complementa a série completa do ST dos MOSFETs de alta tensão que incluem produtos revolucionários de MDmesh™.
APLICAÇÕES
■CORRENTE ALTA, INTERRUPTOR DE ALTA VELOCIDADE
■IDEAL PARA FONTES DE ALIMENTAÇÃO, ADAPTADORES E PFC AUTÔNOMOS
■ILUMINAÇÃO
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade | ||
|
STP4NK60Z STB4NK60Z STB4NK60Z-1 |
STP4NK60ZFP |
STD4NK60Z STD4NK60Z-1 |
|||
| VDS | tensão da Dreno-fonte (VGS = 0) | 600 | V | ||
| VDGR | tensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
| VGS | Tensão de fonte de porta | ± 30 | V | ||
| Identificação | Drene atual (contínuo) em TC = 25°C | 4 | 4 (*) | 4 | |
| Identificação | Drene atual (contínuo) em TC = 100°C | 2,5 | 2,5 (*) | 2,5 | |
| IDM (•?) | Corrente do dreno (pulsada) | 16 | 16 (*) | 16 | |
| PTOT | Dissipação total em TC = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
| Derating o fator | 0,56 | 0,2 | 0,56 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Fonte ESD da porta (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 3000 | V | ||
| dv/dt (1) | Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo | 4,5 | V/ns | ||
| VISO | A isolação suporta a tensão (a C.C.) | - | 2500 | - | V |
|
Tj Tstg |
Temperatura de junção de funcionamento Temperatura de armazenamento |
-55 a 150 -55 a 150 |
°C | ||
(•??) largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro
(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX de Tj.
(*) limitou somente pela temperatura máxima reservada