Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| NDT456P | 5000 | FAIRCHILD | 16+ | SOP8 |
| OB2268CCPA | 5000 | OB | 16+ | SOP8 |
| P2003EVG | 5000 | NIKOS | 13+ | SOP8 |
| P6SMB27CA | 5000 | VISHAY | 15+ | SMB |
| P89LPC932A1FDH | 5000 | 16+ | TSSOP | |
| PC400J00000F SOP-5 | 5000 | AFIADO | 16+ | SOP-5 |
| PIC16C711-04/P | 5000 | MICROCHIP | 14+ | DIP-18 |
| PIC16F716-I/P | 5000 | MICROCHIP | 14+ | DIP-18 |
| PIC16F84A-04I/SO | 5000 | MICROCHIP | 14+ | SOP18 |
| PIC16F886-I/SP | 5000 | MICROCHIP | 16+ | MERGULHO |
| PIC18F4431-I/PT | 5000 | MICROCHIP | 16+ | TQFPQFP |
| RFD15P05SM | 5000 | INTERSIL | 13+ | TO-252 |
| RT8010GQW | 5000 | RICHTEK | 15+ | WDFN |
| SFH6156-4 | 5000 | VISHAY | 16+ | SOP4 |
| SI4880DY-T1-E3 | 5000 | VISHAT | 16+ | SOP-8 |
| SLF6028T-100M1R3-PF | 5000 | TDK | 14+ | SMD |
| SM15T15A | 5000 | ST | 14+ | DO-214AB |
| SM6S24A | 5000 | VISHAY | 14+ | DO-218 |
| SMAJ15A | 5000 | VISHAY | 16+ | SOD-214A |
| SMBJ6.0A | 5000 | VISHAY | 16+ | SMB |
| SMCJ54A-E3 | 5000 | VISHAY | 13+ | DO-214A |
| SN74AHC123ADR | 5000 | SI | 15+ | SOP-16 |
| SN74HC132N | 5000 | SI | 16+ | CONCESSÃO |
| SI 0401 DE SN74HC148N | 5000 | SI | 16+ | SOP-16 |
| ST232ABDR | 5000 | ST | 14+ | SMD |
| ST232CWR | 5000 | ST | 14+ | SOP16 |
| STM8S103F2P6 | 5000 | ST | 14+ | SSOP |
| STP75NF75 | 5000 | ST | 16+ | TO-220 |
| STTH1R06U | 5000 | ST | 16+ | SMB |
| STU309D | 5000 | SAMHOP | 13+ | SOT-252 |
IRF7240PbF
HEXFET? MOSFET do poder
| VDSS | RDS (sobre) máximo | Identificação |
| -40V | 0.015@VGS = -10V | -10.5A |
| 0.025@VGS = -4.5V | -8.4A |
Descrição
Estes MOSFETs do P-canal do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente para o uso em aplicações da gestão da bateria e da carga.
O SO-8 foi alterado através de um leadframe personalizado para características aumentadas e a capacidade térmicas do múltiplo-dado que faz o ideal em uma variedade de aplicações do poder. Com estas melhorias, os dispositivos múltiplos podem ser usados em uma aplicação com espaço dramaticamente reduzido da placa. O pacote é projetado para a fase de vapor, o infravermelho, ou a técnica de solda da onda
? Avaliações máximas absolutas
| Parâmetro | Máximo. | Unidades | |
| VDS | Tensão da fonte do dreno | -40 | V |
| Identificação @ TA = 25°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ -10V | -10,5 | |
| Identificação @ TA = 70°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ -10V | -8,6 | |
| IDM | Corrente pulsada do dreno | -43 | |
| Paládio @TA = 25°C | Dissipação de poder | 2,5 | W |
| Paládio @TA = 70°C | Dissipação de poder | 1,6 | W |
| Fator Derating linear | 20 | mW/°C | |
| VGS | Tensão da Porta-à-fonte | ± 20 | V |
| TJ, TSTG | Variação da temperatura da junção e do armazenamento | -55 + a 150 | °C |
Esboço do pacote SO-8
As dimensões são mostradas nos milímetros (as polegadas)
Marcação da parte SO-8
EXEMPLO: ESTE É UM IRF7101 (O MOSFET)
Fita SO-8 e carretel
As dimensões são mostradas nos milímetros (as polegadas)