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Eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor do Mosfet do poder de IRLR2905TRPBF TO-252
IRLR2905TRPBF
±15kV ESD protegeu, +3V a +5.5V, 1Microamp, 250kbps, transmissores RS-232/receptores
Movimentação da porta do Lógica-nível?
Em-resistência ultra baixa?
Montagem de superfície (IRLR2905)?
Ligação reta (IRLU2905)?
Tecnologia de processamento avançada
Interruptor rápido? Inteiramente avalancha avaliada
Sem chumbo
Descrição
A quinta geração HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir a mais baixa em-resistência possível pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente para o uso em uma grande variedade de aplicações. O D-PAK é projetado para a montagem de superfície usando a fase de vapor, o infravermelho, ou técnicas de solda da onda. A versão reta da ligação (série de IRFU) é para o através-furo que monta aplicações. Os níveis da dissipação de poder até 1,5 watts são possíveis em aplicações de superfície típicas da montagem.
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??????????????? ????????????? Maxim Rating absoluto
Corrente contínua do dreno TC = 25°C, identificação 10V 42 de VGS @ @ TC = 100°C
Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 30 A
IDM pulsados drenam paládio 160 atual @TC = 25°C
Derating linear de W da dissipação de poder 110 fatora 0,71 W/°C
± 16 V da tensão da Porta-à-fonte de VGS
Energia da avalancha do pulso de EAS única? 210 mJ
Corrente 25 da avalancha de IAR uma ORELHA repetitiva
Recuperação dv/dt do diodo do pico do mJ dv/dt da energia 11 da avalancha? 5,0 V/ns
Junção de funcionamento e -55 de TJ + a 175
Variação da temperatura do armazenamento de TSTG
Temperatura de solda, para 10 o °C dos segundos 300 (1.6mm do caso)
Uma parte da lista conservada em estoque
INDUTOR 2.2UH NLFC322522T-2R2M-PF | TDK | Y6438385HU | SMD3225 |
INDUTOR 10UH NLFC322522T-100K-PF | TDK | Y643780LHU | SMD3225 |
C.I LTC3406ES5-1.8TRPBF | LINEAR | LTC4 | SOT23-5 |
C.I LTC3406ES5-1.5TRPBF | LINEAR | LTD6 | SOT23-5 |
C.I SN74HC273DWR | SI | 87D71RK/85FKF2K | SOP-20 |
RES 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
RES 49R9 1% RC0805FR-0749R9L |
YAGEO | 1639 | SMD0805 |
RES 6K8 1% RC0805FR-076K8L |
YAGEO | 1633 | SMD0805 |
RES 0R 5% RC0603JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0603 |
TAMPÃO 0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
DIODO B330A-13-F | DIODOS | 1522/B330A | SMA |
C.I MM74C922N | FAC | BH56AB | DIP-18 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
C.I CD4052BM96 | SI | 69P1HQA | SOP-16 |
RES 1210 220R 5% RC1210JR-07220RL | YAGEO | 1633 | SMD1210 |
RES 1210 330R 5% RC1210JR-07330RL | YAGEO | 1641 | SMD1210 |
TAMPÃO 0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A | AVX | 1622 | SMD0805 |
RES 0805 1K5 1% RC0805FR-071K5L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
RES 0805 3K3 1% RC0805FR-073K3L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
C.I SN74LS373N | SI | 1606+5 | DIP-20 |
OPTOACOPLADOR 4N25M | FSC | 629Q | DIP-6 |
RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
YAGEO | 1642 | SMD0805 |
RES 0805 4K99 1% RC0805FR-074K99L |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
RES 0805 75R 1% RC0805FR-0775RL |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
NPO 08055A221JAT2A do TAMPÃO 0805 220PF 50V | AVX | 1633 | SMD0805 |
C.I SSD1961G40 | SOLOMON | L045AF | BGA40 |
C.I LM336D-2.5 | SI | 336-25/68MA6EG. | SOP-8 |
C.I TPS61041DBVR | SI | PHPI | SOT23-5 |
DIODO 1N4756A | SEMTECH | SL0C2P0817Z185G | DO-41 |
CONVERSOR DE C.I MCP3201-CI/P |
MICROCHIP | 1621SOD | DIP-8 |