As aplicações típicas são os conversores de DC−DC, gestão do poder em produtos portáteis e battery−powered tais como computadores, impressoras, de cartões de PCMCIA os telefones, celulares e sem corda.

Características

• Os pacotes de Pb−Free estão disponíveis

• Baixa tensão do ponto inicial (VGS (th):

0,5 V−1.5 V) fazem ideal para aplicações da baixa tensão

• O pacote de superfície diminuto da montagem SOT−23 salvar o espaço da placa

NOTAS:

1. CÁLCULO DE DIMENSÕES E TOLERANCING POR ANSI Y14.5M, 1982.

2. DIMENSÃO DE CONTROLO: POLEGADA.

3. A ESPESSURA MÁXIMA DA LIGAÇÃO INCLUI A ESPESSURA DO REVESTIMENTO DA LIGAÇÃO. A ESPESSURA MÍNIMA DA LIGAÇÃO É A ESPESSURA MÍNIMA DA MATÉRIA-PRIMA.

4. 318−03 E −07 OBSOLETOS, 318−08 PADRÃO NOVO.

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta = 25°C salvo disposição em contrário)

Avaliação	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão de Drain−to−Source	VDSS	50	VDC
− da tensão de Gate−to−Source contínuo	VGS	± 20	VDC
Dissipação de poder total @ Ta = 25°C	Paládio	225	mW
Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento	TJ, Tstg	− 55 150	°C
− Junction−to−Ambient da resistência térmica	RJA	556	°C/W
Temperatura máxima da ligação para finalidades de solda, por 10 segundos	TL	260	°C

MOSFET do poder do transistor do Mosfet do poder de BSS138LT1G 200 miliampères, 50 V N−Channel SOT−23

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Microplaquetas do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de poder de IGBT

O amplificador IC lasca-se

microplaquetas eletrônicas do CI

Componentes eletrônicos

MOSFET do poder do transistor do Mosfet do poder de BSS138LT1G 200 miliampères, 50 V N−Channel SOT−23

MOSFET do poder 200 miliampères, 50 V N−Channel SOT−23

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