Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Transistor P do mosfet do poder superior SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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Transistor P do mosfet do poder superior SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)

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Number modelo :SI2301CDS-T1-E3
Lugar de origem :Filipinas
Quantidade de ordem mínima :20
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :20000
Prazo de entrega :1
Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes
Descrição :P-canal 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), (Tc) montagem SOT-23-3 da superfície 1.6W (TO-236)
Vds :- 20 V
Vgs :± 8 V
Identificação :-3,1 A
DM :- 10 A
é :-3,1 A
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SI2301CDS - T1 - transistor P do mosfet do poder superior E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)

MOSFET do P-canal 20-V (D-S)


CARACTERÍSTICAS

• opção Halogênio-livre disponível

• MOSFET do poder de TrenchFET®

APLICAÇÕES

• Interruptor da carga

SUMÁRIO DO PRODUTO DO MOSFET
VDS (v) RDS (sobre) (Ω) Identificação (A) a Qg (tipo.)
- 20 0,112 em VGS = - 4,5 V - 3,1 3,3 nC
0,142 em VGS = - 2,5 V - 2,7

°C TÍPICO das CARACTERÍSTICAS 25, salvo disposição em contrário

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