Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Procurar um caminho mais curto transistor Autoprotected VND3NV0413TR do Mosfet do poder
Características
| Tipo | RDS (sobre) | Ilim | Vclamp |
|
VNN3NV04 VNS3NV04 VND3NV04 VND3NV04-1 |
mΩ 120 | 3,5 A | 40 V |
■Limitação atual linear
■Parada programada térmica
■Procurar um caminho mais curto a proteção
■Braçadeira integrada
■Baixa corrente seleccionada do pino da entrada
■Feedback diagnóstico através do pino da entrada
■Proteção do ESD
■De acesso direto à porta do MOSFET do poder (condução do analógico)
■Compatível com o MOSFET padrão do poder em conformidade com. - a diretriz orientadora 2002/95/E europeia
Descrição
Os VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, são dispositivos monolíticos projetados na tecnologia de STMicroelectronics VIPower M0-3, pretendida para a substituição de MOSFETs padrão do poder da C.C. aplicações de até 50 quilohertz. Construído na parada programada térmica, na limitação atual linear e na braçadeira da sobretensão para proteger a microplaqueta em ambientes ásperos.
O feedback da falha pode ser detectado monitorando a tensão no pino da entrada.
Sumário do dispositivo
| Pacote | Códigos de ordem | |||
| Tubo | Tubo (sem chumbo) | Fita e carretel | Grave e bobine (sem chumbo) | |
| SOT-223 | VNN3NV04 | - | VNN3NV0413TR | - |
| SO-8 | VNS3NV04 | - | VNS3NV0413TR | - |
| TO-252 | VND3NV04 | VND3NV04-E | VND3NV0413TR | VND3NV04TR-E |
Diagrama de bloco e descrição do pino