Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Transistor do Mosfet do poder de HEXFET, módulo IRF7329 do mosfet do poder
? Tecnologia da trincheira?
Em-resistência ultra baixa
? MOSFET duplo do P-canal
?
Perfil baixo (<1>
Disponível na fita & no carretel?
Sem chumbo
Descrição
Os MOSFETs novos do poder do P-canal HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações. O SO-8 foi alterado através de um leadframe personalizado para características aumentadas e a capacidade térmicas do múltiplo-dado que faz o ideal em uma variedade de aplicações do poder. Com estas melhorias, os dispositivos múltiplos podem ser usados em uma aplicação com espaço dramaticamente reduzido da placa. O pacote é projetado para a fase de vapor, o infravermelho, ou a técnica de solda da onda
| Parâmetro | Máximo. | Unidades | |
| VDS | Tensão da fonte do dreno | -12 | V |
| Identificação @ TA = 25°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ -4.5V | -9,2 | |
| Identificação @ TA= 70°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ -4.5V -7,4 | -7,4 | |
| IDM | Corrente pulsada do dreno? | -37 | |
| Paládio @TA = 25°C | Dissipação de poder? | 2,0 | W |
| Paládio @TA = 70°C | Dissipação de poder? | 1,3 | |
| Fator Derating linear | 16 | mW/°C | |
| VGS | Tensão da Porta-à-fonte | ± 8,0 | V |
| TJ, TSTG | Variação da temperatura da junção e do armazenamento | -55 + a 150 | °C |