Categorias de Produtos

Microplaqueta de IC da memória Flash

[30]

Microplaqueta programável de IC

[56]

O computador IC lasca-se

[26]

Motorista ICs do diodo emissor de luz

[36]

Gestão CI do poder

[28]

Microplaquetas do circuito integrado

[28]

Unidade do microcontrolador de MCU

[157]

Motorista ICs da exposição

[10]

Módulo de poder de IGBT

[10]

O amplificador IC lasca-se

[10]

microplaquetas eletrônicas do CI

[2980]

Componentes eletrônicos

[279]

Contate

Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Cidade:shenzhen

País / Região:china

Pessoa de contato:MsDoris Guo

Ver detalhes de contato

Contate

Baixa resistência térmica 100 MOSFETs CSD19533Q5A do poder de NexFET do N-canal de V

Pergunte o preço mais recente

Number modelo :CSD19533Q5A

Lugar de origem :original

Quantidade de ordem mínima :20pcs

Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal

Capacidade da fonte :5200PCS

Prazo de entrega :1 dia

Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes

Descrição :N-canal 100 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), (Tc) montagem 8-VSONP da superfície 96W (5x6)

Tensão da Dreno-à-fonte :100 V

Total da carga da porta (10 V) :27 nC

Porta da carga da porta a drenar :4,9 nC

Dreno-à-fonte na resistência :mΩ 8,7

Tensão do ponto inicial :2,8 V

Contate

Add to Cart

Ver descrição do produto

CARACTERÍSTICAS

• Ultra-baixos Qg e Qgd

• Baixa resistência térmica

• Avalancha avaliada

• Chapeamento terminal Pb-livre

• RoHS complacente

• Halogênio livre

• FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros

APLICAÇÕES

• Telecomunicações laterais preliminares

• Retificador síncrono lateral secundário

• Controlo do motor

DESCRIÇÃO

Este 100 V, 7,8 mΩ, FILHO 5 milímetro x 6 milímetros NexFET™

o MOSFET do poder é projetado minimizar dentro perdas

aplicações da conversão de poder.

Informação da fita e do carretel de Q5A

Notas:

1. tolerância cumulativa ±0.2 do furo-passo 10-sprocket

2. Curve para não exceder 1 milímetro em 100 milímetros, mais de 250 milímetros noncumulative

3. Material: poliestireno estático-dissipative preto

4. Todas as dimensões estão no milímetro (salvo disposição em contrário)

5. A0 e B0 mediram em um plano 0,3 milímetros acima da parte inferior do bolso

Etiquetas de Produtos:

insulated gate bipolar transistor igbt

fr4 thermal resistence

igbt saturation voltage

Inquiry Cart 0