8 um transistor macio Ultrafast HFA08TB60 do Mosfet do poder do diodo da recuperação de HEXFRED

CARACTERÍSTICAS

• Recuperação Ultrafast

• Recuperação Ultrasoft

• Baixo IRRM mesmo

• Baixo Qrr mesmo

• Especificado em condições operacionais

• Projetado e qualificado para o nível industrial

BENEFÍCIOS

• IRF e IEM reduzidos

• Perda de poder reduzida no diodo e no transistor de interruptor

• Operação mais alta da frequência

• Desprezar reduzido

• As peças reduzidas contam

DESCRIÇÃO

HFA08TB60 é um diodo ultrafast avançado da recuperação. Empregando o mais atrasado na construção epitaxial e em técnicas de processamento avançadas caracteriza uma combinação magnífica de características que resultado no desempenho que é absoluto por todo o retificador previamente disponível. Com avaliações básicas de 600 V e 8 uma corrente contínua, o HFA08TB60 é especialmente bem - serido para o uso como o diodo do companheiro para IGBTs e MOSFETs. Além do que o tempo de recuperação ultrafast, a linha de produtos de HEXFRED® caracteriza extremamente - baixos valores da corrente máxima da recuperação (IRRM) e não exibe nenhuma tendência à “pressão-fora” durante a parcela da TB de recuperação. As características de HEXFRED combinam para oferecer a desenhistas um retificador com mais baixo ruído e para abaixar significativamente perdas do interruptor no diodo e no transistor de comutação. Estas vantagens de HEXFRED podem ajudar a reduzir significativamente desprezar, contagem componente e tamanhos do dissipador de calor. O HEXFRED HFA08TB60 é serido idealmente para aplicações em fontes de alimentação e sistemas de conversão do poder (tais como inversores), movimentações do motor, e muitas outras aplicações similares onde a alta velocidade, eficiência elevada é necessário.

Diodo macio Ultrafast da recuperação, 8 A