Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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Dissipação de poder planar de W do circuito de retificador 1 do diodo de Zener do silicone de 1N4753A 18v

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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Dissipação de poder planar de W do circuito de retificador 1 do diodo de Zener do silicone de 1N4753A 18v

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Number modelo :1N4753A
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :20pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :7800pcs
Prazo de entrega :1 dia
Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes
Descrição :Diodo Zener 36 V 1 W ±5% Orifício de passagem DO-204AL (DO-41)
Dissipação de poder :1 W
TEMPERATURA DE JUNÇÃO :℃ 200
Temperatura de armazenamento :- 65 + ao ℃ 200
Junção da resistência térmica ao ar ambiental :170 K/W
Tensão dianteira em SE = 200 miliampères :1,2 V
Pacote :DO-41
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Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
TPS54527DDAR 4829 SI 15+ SOP-8
TLC549CP 4821 SI 14+ DIP-8
UC285TDKTTT-ADJ 4511 SI 15+ TO-263-5
TPS7333QDR 7261 SI 15+ SOP-8
TS912IDT 6372 ST 15+ SOP-8
TL431BQDBZRQ1 4193 SI 16+ SOT23-3
TDA6060XS 4120 15+ TSSOP28
TYN640RG 3948 ST 15+ TO-220
TCRT5000L 8000 VISHAY 15+ DIP-4
TMS320F28335ZJZA 229 SI 15+ BGA176
TOP256YN 6281 PODER 15+ TO-220
TLP185GB 38000 TOSHIBA 16+ SOP-4
TS4990IST 10000 ST 15+ MSOP-8
MAX3223CDBR 10650 SI 16+ SSOP
MMA8452QR1 4405 FREESCALE 12+ QFN
PESD2CAN 30000 15+ ÉBRIO
MAX1636EAP-T 6200 MÁXIMA 10+ SSOP
MAC8M 9873 EM 10+ TO-220
MJD117-1G 8000 EM 14+ TO-263
MAX1683EUK+T 6350 MÁXIMA 16+ ÉBRIO
L3G4200D 2729 ST 15+ LGA16
PTN78020AAH 400 SI 15+ MERGULHO
MAX4214EUK+T 5968 MÁXIMA 10+ ÉBRIO
MX25L12873FM2I-10G 4500 MXIC 15+ CONCESSÃO
ATTINY10-TSHR 3000 ATMEL 15+ SOT23
PTN78060WAD 980 SI 15+ MERGULHO
PIC18F2520-I/SO 4598 MICROCHIP 15+ CONCESSÃO
MC33269DR2-5.0 4554 EM 15+ CONCESSÃO
MCP3421AOT-E/CH 5302 MICROCHIP 16+ ÉBRIO
MMBFJ108 10000 FAIRCHILD 16+ SOT-23

1N4727A… 1N4764A

DIODOS PLANARES DO PODER ZENER DO SILICONE

Avaliações máximas absolutas (Ta = ℃ 25)

Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Dissipação de poder Ptot 1 1) W
Temperatura de junção Tj 200
Variação da temperatura do armazenamento TS - 65 + a 200

1) Válido contanto que as ligações em uma distância de 8 milímetros do caso são mantidas na temperatura ambiental.

Características em Ta = ℃ 25

Parâmetro Símbolo Máximo. Unidade
Junção da resistência térmica ao ar ambiental RthA 170 1) K/W
Tensão dianteira em SE = 200 miliampères VF 1,2 V

1) Válido contanto que as ligações em uma distância de 8 milímetros do caso são mantidas na temperatura ambiental.

Características de Breakdowm

Tj=constant (pulsado)

Inquiry Cart 0