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NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 128
Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1,8 V/3 V, Memórias Flash NAND
CARACTERÍSTICAS:
■ MEMÓRIAS FLASH NAND DE ALTA DENSIDADE
– Matriz de memória de até 1 Gbit
– Até 32 Mbit de área livre
– Soluções econômicas para aplicações de armazenamento em massa
■ INTERFACE NAND - largura de barramento x8 ou x16
– Endereço/dados multiplexados
– Compatibilidade de pinagem para todas as densidades
■ TENSÃO DE ALIMENTAÇÃO
– Dispositivo de 1,8 V: VDD = 1,7 a 1,95 V
– Dispositivo de 3,0 V: VDD = 2,7 a 3,6 V
■ TAMANHO DA PÁGINA
– dispositivo x8: (512 + 16 sobressalentes) Bytes
– dispositivo x16: (256 + 8 sobressalentes) Palavras
■ TAMANHO DO BLOCO
– dispositivo x8: (16K + 512 sobressalentes) Bytes
– dispositivo x16: (8K + 256 sobressalentes) Palavras
■ LER PÁGINA / PROGRAMA
– Acesso aleatório: 12µs (máx.)
– Acesso sequencial: 50ns (min)
– Tempo do programa de página: 200µs (típico)
■ COPIAR DE VOLTA MODO DE PROGRAMA
– Cópia rápida de página sem buffer externo
■ APAGAR BLOCO RÁPIDO - Tempo de apagamento do bloco: 2ms (Típico)
■ REGISTRO DE ESTADO
■ ASSINATURA ELETRÔNICA
■ CHIP ATIVAR A OPÇÃO 'NÃO SE IMPORTA'
– Interface simples com microcontrolador
■ OPÇÃO DE NÚMERO DE SÉRIE
■ PROTEÇÃO DE DADOS DE HARDWARE
– Program/Erase bloqueado durante as transições de energia
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS(1) |
Tensão de base do coletor VCBO -60 V |
TRANS BC847BLT1 | 18000 | SOBRE | CHINA |
RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CHINA |
RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CHINA |
DIODO DF06S | 3000 | setembro | CHINA |
CAP 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | JAPÃO |
DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODOS | MALÁSIA |
INDUTOR.100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | JAPÃO |
RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CHINA |
DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALÁSIA |
RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
DIODO UF4007 AMMO | 500000 | microfone | CHINA |
TRANS.ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CHINA |
ACOPLADOR OTICO.MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAIWAN |
TRANS MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODOS | MALÁSIA |
TRANS STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALÁSIA |
CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | TAILÂNDIA |
CI MC33298DW | 1000 | MOT | MALÁSIA |
CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALÁSIA |
CI P8255A5 | 4500 | INTEL | JAPÃO |
CI HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | JAPÃO |
CI DS1230Y-150 | 2400 | DALLAS | FILIPINAS |
TRANS.ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
TRIAC BT151-500R | 500000 | MARROCOS | |
CI HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
TRIAC TIC116M | 10000 | TI | TAILÂNDIA |
DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALÁSIA |
DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALÁSIA |
CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
CI CD40106BE | 250 | TI | TAILÂNDIA |
ACOPLADOR PC733H | 1000 | AFIADO | JAPÃO |
TRANS NDT452AP | 5200 | FSC | MALÁSIA |
CI LP2951-50DR | 1200 | TI | TAILÂNDIA |
CI MC7809CD2TR4G | 1200 | SOBRE | MALÁSIA |
DIODO MBR20200CTG | 22000 | SOBRE | MALÁSIA |
FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELEFUSEI | TAIWAN |
CI TPIC6595N | 10000 | TI | TAILÂNDIA |
EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALÁSIA |
DIODO 1N4004-T | 5000000 | microfone | CHINA |
CI CD4060BM | 500 | TI | TAILÂNDIA |
ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALÁSIA |
DIODO W08 | 500 | setembro | CHINA |
CI SN74HC373N | 1000 | TI | FILIPINAS |
FOTOSENSOR 2SS52M | 500 | poço de mel | JAPÃO |
CI SN74HC02N | 1000 | TI | TAILÂNDIA |
CI CD4585BE | 250 | TI | TAILÂNDIA |
CI MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | MICRON | MALÁSIA |
DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | SOBRE | MALÁSIA |