Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
3 Anos
Casa / Produtos / Flash Memory IC Chip /

CY7C1328G-133AXI chip ic eletrônico Chip de circuito integrado 4-Mbit (256K x 18) SRAM de sincronização DCD com pipeline

Contate
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
Contate

CY7C1328G-133AXI chip ic eletrônico Chip de circuito integrado 4-Mbit (256K x 18) SRAM de sincronização DCD com pipeline

Pergunte o preço mais recente
Number modelo :CY7C1328G-133AXI
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :8100pcs
Prazo de entrega :1 dia
Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes
Descrição :SRAM - Síncrono, a memória IC 4.5Mbit do SDR paraleliza 133 megahertz 4 ns 100-TQFP (14x20)
Temperatura de armazenamento :– 65°C a +150°C
Temperatura ambiental com o poder aplicado :– 55°C a +125°C
Tensão de fonte em VDD relativo à terra :– 0.5V a +4.6V
Tensão de fonte em VDDQ relativo à terra :– 0.5V a +VDD
A C.C. entrou a tensão :– 0.5V a VDD + 0.5V
Atual nas saídas (BAIXAS) :20 miliampères
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

CY7C1328G 4 Mbit (256 K x 18) SRAM de sincronização DCD com pipeline

Características

• Entradas e saídas registradas para operação em pipeline

• Ideal para desempenho (desseleção de ciclo duplo)

— Expansão de profundidade sem estado de espera

• Arquitetura de E/S comum de 256K × 18

• Fonte de alimentação central de 3,3 V (VDD)

• Fonte de alimentação 3,3V/2,5VI/O (VDDQ)

• Tempos rápidos de clock para saída

— 2,6 ns (para dispositivo de 250 MHz)

• Oferece taxa de acesso 3-1-1-1 de alto desempenho

• Contador de burst selecionável pelo usuário com suporte para sequências de burst linear ou intercalado Intel® Pentium®

• Estrobos de endereços separados do processador e do controlador

• Gravações sincronizadas síncronas

• Habilitação de saída assíncrona

• Disponível em pacote TQFP de 100 pinos sem chumbo

• Opção de modo de hibernação “ZZ”

Descrição Funcional

O CY7C1328G SRAM integra células SRAM de 256K x 18 com circuitos periféricos síncronos avançados e um contador de dois bits para operação de rajada interna.Todas as entradas síncronas são controladas por registradores controlados por uma Entrada de Relógio (CLK) acionada por borda positiva.As entradas síncronas incluem todos os endereços, todas as entradas de dados, habilitação de chip de pipelining de endereço (CE1), habilitação de chip de expansão de profundidade (CE2 e CE3), entradas de controle de rajada (ADSC, ADSP e ADV), habilitação de gravação (BW[A: B], e BWE) e Global Write (GW).As entradas assíncronas incluem a Habilitação de Saída (OE) e o pino ZZ.

Endereços e habilitações de chip são registrados na borda ascendente do clock quando o Address Strobe Processor (ADSP) ou o Address Strobe Controller (ADSC) estão ativos.Endereços de rajada subseqüentes podem ser gerados internamente como controlados pelo pino Advance (ADV).

Endereço, entradas de dados e controles de gravação são registrados no chip para iniciar um ciclo de gravação auto-programado. Esta parte suporta operações de gravação de byte (consulte Descrições de pinos e Tabela verdade para obter mais detalhes).Os ciclos de gravação podem ter um a dois bytes de largura, conforme controlado pelas entradas de controle de gravação de byte.GW ativo LOW faz com que todos os bytes sejam escritos.Este dispositivo incorpora um registro de habilitação de pipeline adicional que atrasa o desligamento dos buffers de saída um ciclo adicional quando uma desmarcação é executada. Esse recurso permite a expansão de profundidade sem penalizar o desempenho do sistema.

O CY7C1328G opera a partir de uma fonte de alimentação principal de +3,3 V, enquanto todas as saídas operam com uma fonte de +3,3 V ou +2,5 V.Todas as entradas e saídas são compatíveis com o padrão JEDEC JESD8-5.

Classificações máximas

(Acima do qual a vida útil pode ser prejudicada. Para orientações do usuário, não testado.)

Temperatura de armazenamento ................................................ .... –65°C a +150°C

Temperatura Ambiente com Energia Aplicada.............–55°C a +125°C

Tensão de alimentação em VDDRelativo a GND........................... –0,5V a +4,6V

Tensão de alimentação em VDDQRelativo a GND ....................... –0,5V a +VDD

Tensão CC aplicada às saídas em tri-sta.............. –0,5 V a VDDQ+ 0,5V

Tensão de entrada CC .............................................. ........ –0,5V a VDD+ 0,5V

Corrente nas Saídas (BAIXO)........................................... ................ 20mA

Tensão de Descarga Estática........................................... ................ > 2001V

(conforme MIL-STD-883, Método 3015)

Corrente de travamento .............................................. ....................... > 200 mA

Diagrama de Blocos Funcionais

Diagrama de pacote

Oferta de Ações (Venda a Quente)

Nº da peça Q'ty MFG D/C Pacote
MC78L15ACDR2G 30000 SOBRE 10+ SOP-8
MC74HC32ADR2G 25000 SOBRE 10+ POP
MC14093BDR2G 30000 SOBRE 16+ POP
A2C11827-BD 3000 ST 11+ HSOP20
LM337D2TR4 5991 SOBRE 13+ TO-263
LTC6090CS8E 6129 LINEAR 15+ POP
PC817C 25000 AFIADO 16+ MERGULHAR
LT1170CQ 5170 LINEAR 14+ TO-263
ATMXT768E-CUR 3122 ATMEL 12+ VFBGA96
LM809M3X-4.63 10000 NSC 14+ SOT-23-3
PIC12F510-I/P 5453 MICROCHIP 16+ MERGULHAR
30578 1408 BOSCH 10+ QFP-64
LM4040AIM3-2.5 10000 NSC 15+ SOT-23
LP38692MP-3.3 3843 NSC 15+ SOT-223
LPC4330FET256 2411 15+ TFBGA-256
LAA120P 2674 CPCLARE 15+ SOP8
MCP42010-I/SL 5356 MICROCHIP 16+ POP
LM3940IMP-3.3 10000 NSC 15+ SOT-223
MAX668EUB-T 5418 MÁXIMA 16+ MSOP
MAX16054AZT+ 6100 MÁXIMA 15+ SOT
PCA9555PW 12520 11+ TSSOP

Inquiry Cart 0