Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Chip de circuito integrado TC74ACT00FTEL QUAD 2 INPUT NAND GATE

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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Chip de circuito integrado TC74ACT00FTEL QUAD 2 INPUT NAND GATE

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Number modelo :TC74ACT00F
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :8200pcs
Prazo de entrega :1 dia
Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes
Descrição :Canal 14-TSSOP de NAND Gate IC 4
trabalho temperatura-máximo :+ 150°C
temperatura-minuto de trabalho :-65°C
Escala da tensão de fonte :−0.5V a 7.0V
Folha de dados :Contacte-nos por favor
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Chip de circuito integrado TC74ACT00F QUAD 2 INPUT NAND GATE

O TC74ACT00 é um avançado CMOS 2-INPUT NAND GATE de alta velocidade fabricado com porta de silício e tecnologia C2MOS de fiação metálica de camada dupla.

Ele atinge a operação de alta velocidade semelhante ao Schottky TTL Bipolar equivalente, mantendo a baixa dissipação de energia do CMOS.

Este dispositivo pode ser usado como um conversor de nível para interfacear TTL ou NMOS para CMOS de alta velocidade.As entradas são compatíveis com os níveis de tensão de saída TTL, NMOS e CMOS.

Todas as entradas são equipadas com circuitos de proteção contra descarga estática ou excesso de tensão transiente.

Características

Alta velocidade: tpd = 4,0 ns (típico) em VCC = 5 V

Dissipação de baixa potência: ICC = 4 μA (max) em Ta = 25°C

Compatível com saídas TTL: VIL = 0,8 V (máx) VIH = 2,0 V (min)

Impedância de saída simétrica: |IOH|= IOL = 24 mA (min) Capacidade de conduzir linhas de transmissão de 50 Ω.

Atrasos de propagação balanceados: tpLH ∼− tpHL

Pino e função compatível com 74F00

Classificações Máximas Absolutas

Características Símbolo Avaliação Unidade
Faixa de tensão de alimentação VCC −0,5 a 7,0 V
Tensão de entrada CC VIN −0,5 a VCC + 0,5 V
Tensão de saída DC VOUT −0,5 a VCC + 0,5 V
Corrente do diodo de entrada IIK ±20 mA
Corrente do diodo de saída OK ±50 mA
Corrente de saída DC IOUT ±50 mA
DC VCC/corrente de terra ICC ±100 mA
Dissipação de energia DP 500 (DIP) (Nota 2)/180 (SOP/TSSOP) mW
Temperatura de armazenamento Tstg −65 a 150 °C

Nota 1: Exceder qualquer uma das classificações máximas absolutas, mesmo que brevemente, leva à deterioração do desempenho do IC ou até mesmo à destruição.O uso contínuo sob cargas pesadas (por exemplo, a aplicação de alta temperatura/corrente/tensão e mudança significativa na temperatura etc.) etc.) estão dentro das classificações máximas absolutas e das faixas de operação.Projete a confiabilidade adequada ao revisar o Manual de confiabilidade de semicondutores da Toshiba (“Precauções de manuseio”/“Conceito e métodos de redução de classificação”) e dados de confiabilidade individuais (ou seja, relatório de teste de confiabilidade e taxa de falha estimada, etc.).

Nota 2: 500 mW na faixa de Ta = −40 a 65°C.De Ta = 65 a 85°C, um fator de redução de -10 mW/°C deve ser aplicado até 300 mW.

Faixas de operação (Nota)

Características Símbolo Avaliação Unidade
Tensão de alimentação VCC 4,5 a 5,5 V
Tensão de entrada VIN 0 a VCC V
Voltagem de saída VOUT 0 a VCC V
Temperatura de operação Topr −40 a 85 °C
Tempo de subida e descida de entrada dt/dV 0 a 10 ns/V

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