Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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Amplificadores operacionais de baixa potência programáveis ​​Lincmose TLC271CDR

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MsDoris Guo
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Amplificadores operacionais de baixa potência programáveis ​​Lincmose TLC271CDR

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Number modelo :TLC271CDR
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :4200pcs
Prazo de entrega :1 dia
Detalhes de empacotamento :Contacte-me por favor para detalhes
Descrição :Circuito de uso geral 8-SOIC do amplificador 1
Tensão de fonte, VDD :18V
Tensão de entrada diferencial, VID :±VDD
Escala de tensão entrada, VI (alguma entrada) :– 0,3 V a VDD
Corrente entrada, II :±5 miliampère
corrente de saída, IO :±30 miliampère
Variação da temperatura do armazenamento :– 65°C a 150°C
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LinCMOSGenericNameMTAMPLIFICADORES OPERACIONAIS DE BAIXA POTÊNCIA PROGRAMÁVEIS

*Desvio de Tensão de Offset de Entrada... Normalmente

0,1 µV/mês, incluindo os primeiros 30 dias

* Ampla gama de tensões de alimentação

Faixa de temperatura especificada:

0°C a 70°C ...3 V a 16 V

–40°C a 85°C ...4 V a 16 V

–55°C a 125°C ...5 V a 16 V

*Operação de Suprimento Único

*Faixa de tensão de entrada de modo comum

Estende-se Abaixo do Trilho Negativo (C-Sufixo e

Tipos de Sufixo I)

*Barulho baixo ...25 nV/√Hz Normalmente em

f = 1 kHz (modo de alta polarização)

*Faixa de tensão de saída inclui trilho negativo

*Alta impedância de entrada...1012 Ω Tipo

*Circuito de proteção ESD

*Opção de pacote de contorno pequeno também disponível

em fita e bobina

*Imunidade Latch-Up projetada

descrição

O amplificador operacional TLC271 combina uma ampla gama de graus de tensão de deslocamento de entrada com desvio de tensão de deslocamento baixo e alta impedância de entrada.Além disso, o TLC271 oferece um modo de seleção de polarização que permite ao usuário selecionar a melhor combinação de dissipação de energia e desempenho CA para uma aplicação específica.Esses dispositivos usam LinCMOS de porta de silício da Texas InstrumentsMTtecnologia, que fornece estabilidade de tensão offset muito superior à estabilidade disponível com processos convencionais de porta de metal.

RECURSOS DO DISPOSITIVO

PARÂMETRO† MODO BIAS-SELECT UNIDADE
ALTO MÉDIO BAIXO
PD 3375 525 50 µW
SR 3.6 0,4 0,03 V/µs
Vn 25 32 68 nV/√Hz
B1 1.7 0,5 0,09 MHz
AVD 23 170 480 V/mV

Típico em VDD= 5 V, TA= 25°C

esquema equivalente

classificações máximas absolutas sobre a temperatura operacional ao ar livre

(salvo indicação em contrário)†

Tensão de alimentação, VDD(ver Nota 1) ...................................................18 V

Tensão de entrada diferencial, VEU IA(ver Nota 2) .......................................... ..±VDD

Faixa de tensão de entrada, VEU(qualquer entrada)...........................................– 0,3 V a VDD

Corrente de entrada, euEU.................................................................±5 mA

Corrente de saída, IO..............................................................±30 mA

Duração da corrente de curto-circuito a (ou abaixo) 25°C (ver Nota 3) ...... ....................Ilimitado

Dissipação total contínua.....................................Consulte a Tabela de Classificação de Dissipação

Temperatura operacional ao ar livre, TA: sufixo C .....................................0,0 °C a 70 °C

Eu sufixo ....................................– 40°C a 85°C

Sufixo M...................................– 55°C a 125°C

Amplitude Térmica de armazenamento ...............................................– 65°C a 150°C

Temperatura da caixa por 60 segundos: Pacote FK .......................................260°C

Temperatura de chumbo 1,6 mm (1/16 pol.) da caixa por 10 segundos: Pacote D ou P .............0,260°C

Temperatura de chumbo 1,6 mm (1/16 pol.) da caixa por 60 segundos: embalagem JG ................0,300°C

† Estresses além dos listados em “classificações máximas absolutas” podem causar danos permanentes ao dispositivo.Estas são apenas classificações de estresse, e a operação funcional do dispositivo nessas ou em quaisquer outras condições além das indicadas em “condições operacionais recomendadas” não está implícita.A exposição a condições de classificação máxima absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiabilidade do dispositivo.

NOTAS: 1. Todos os valores de tensão, exceto as tensões diferenciais, referem-se ao aterramento da rede.

2. As tensões diferenciais estão em IN+ em relação a IN–.

3. A saída pode estar em curto com qualquer uma das fontes.A temperatura e/ou as tensões de alimentação devem ser limitadas para garantir

que a classificação máxima de dissipação não seja excedida (consulte a seção de aplicação).

TABELA DE CLASSIFICAÇÃO DE DISSIPAÇÃO

PACOTE

TA≤ 25°C

POTÊNCIA

FATOR DE REDUÇÃO

ACIMA DE TA= 25°C

TA= 70°C CLASSIFICAÇÃO DE POTÊNCIA

TA= 85°C

POTÊNCIA

TA= 125°C

POTÊNCIA

D 725 mW 5,8 mW/°C 464 mW 377 mW 145 mW
FK 1375 mW 11,0 mW/°C 880 mW 715 mW 275 mW
JG 1050 mW 8,4 mW/°C 672 mW 546 mW 210 mW
P 1000 mW 8,0 mW/°C 640 mW 520 mW 200 mW

Condições de operação recomendadas

C SUFIXO EU SUFIXO M SUFIXO UNIDADE
MÍNIMO MÁXIMO MÍNIMO MÁXIMO MÍNIMO MÁXIMO
Tensão de alimentação, VDD 3 16 4 16 5 16 V

Modo comum

tensão de entrada VCI

VDD= 5 V –0,2 3,5 –0,2 3,5 0 3,5 V
VDD= 10 V –0,2 8,5 –0,2 8,5 0 8,5
Temperatura operacional ao ar livre, TA 0 70 –40 85 –55 125 °C

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