HALF - BRIDGE DRIVER ic componentes eletrônicos , componentes integrados IR2109S

CONDUTOR DE MEIA PONTE

IR2109(4) (S)

Características

• Canal flutuante projetado para operação bootstrap Totalmente operacional até +600V Tolerante a tensão transitória negativa dV/dt imune

• Faixa de alimentação do acionamento do portão de 10 a 20V

• Bloqueio de subtensão para ambos os canais

• Compatível com lógica de entrada de 3,3 V, 5 V e 15 V

• Lógica de prevenção de condução cruzada

• Atraso de propagação correspondente para ambos os canais

• Saída lateral alta em fase com entrada IN

• Aterramento lógico e de alimentação +/- offset de 5V.

• Tempo morto interno de 540ns e programável até 5us

com um resistor RDT externo (IR21094)

• Di/dt gate driver mais baixo para melhor imunidade a ruído

• Shut down input desliga ambos os canais.

Descrição

Os IR2109(4)(S) são drivers MOSFET e IGBT de alta tensão e alta velocidade com canais de saída referenciados de lado alto e baixo dependentes.As tecnologias proprietárias de HVIC e CMOS imune a trava permitem uma construção monolítica robusta.A entrada lógica é compatível com saída CMOS ou LSTTL padrão, até lógica de 3,3 V.Os drivers de saída apresentam um estágio de buffer de corrente de pulso alto projetado para driver mínimo IR21094 Pacotes IR2109 IR2109(4) (S) Folha de dados nº PD60163-P VOFFSET 600V máx.IO+/- 120 mA / 250 mA VOUT 10 - 20V ton/off (tip.) 750 & 200 ns Dead Time 540 ns (programável até 5uS para IR21094) Resumo do produto www.irf.com 1 VCC VB VS HO COM LO IN SD SD IN até 600 V TO LOAD VCC IN até 600 V TO LOAD VCC VS HO LO COM IN DT VSS SD VCC SD VSS RDT 8 Lead PDIP 14 Lead PDIP 8 Lead SOIC 14 Lead SOIC cross-conduction.O canal flutuante pode ser usado para conduzir um MOSFET ou IGBT de potência de canal N na configuração do lado alto que opera até 600 volts.

Definições de leads