Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
Add to Cart
1. Descrição geral
O 74HC245;74HCT245 é um dispositivo Si-gate CMOS de alta velocidade e é compatível com pinos com Low-Power Schottky TTL (LSTTL).
O 74HC245;O 74HCT245 é um transceptor octal com saídas compatíveis com barramento de 3 estados não inversoras nas direções de envio e recebimento.O 74HC245;O 74HCT245 possui uma entrada de habilitação de saída (OE) para fácil cascateamento e uma entrada de envio/recebimento (DIR) para controle de direção.OE controla as saídas para que os barramentos sejam efetivamente isolados.
O 74HC245;74HCT245 é semelhante ao 74HC640;74HCT640, mas tem saídas verdadeiras (não inversoras).
2. Características
■ Interface de barramento bidirecional octal
■ Saídas de 3 estados não inversoras
■ Várias opções de pacote
■ Em conformidade com a norma JEDEC nº.7A
■ Proteção ESD:
◆ HBM EIA/JESD22-A114-B excede 2000 V
◆ MM EIA/JESD22-A115-A excede 200 V
■ Especificado de -40 °C a +85 °C e de -40 °C a +125 °C
3. Dados de referência rápida
GND = 0 V;Tamb= 25°C;tr= tf= 6ns
| Símbolo | Parâmetro | Condições | mín. | Tipo | máx. | Unidade |
| Tipo 74HC245 | ||||||
| tPHL, tPLH |
atraso de propagação An para Bn ou Bn para An |
Ceu= 15 pF; VCC=5V |
- | 7 | - | ns |
| CEU | capacitância de entrada | - | 3.5 | - | pF | |
| CE/S | capacitância de entrada/saída | - | 10 | - | pF | |
| CDP |
capacitância de dissipação de energia por transceptor |
VEU= GND a VCC | [1] - | 30 | - | pF |
| Tipo 74HC245 | ||||||
| tPHL, tPLH |
atraso de propagação An para Bn ou Bn para An |
Ceu= 15 pF; VCC=5V |
- | 10 | - | ns |
| CEU | capacitância de entrada | - | 3.5 | - | pF | |
| CE/S | capacitância de entrada/saída | - | 10 | - | pF | |
| CDP |
capacitância de dissipação de energia por transceptor |
VEU= GND para VCC− 1,5 V |
[1] - | 30 | - | pF |
[1] CDPé usado para determinar a dissipação de energia dinâmica (PDem µW):
PD= CDP× VCC2 × feu× N + ∑ (CL × VCC2× fo) onde:
feu= frequência de entrada em MHz;
fo= frequência de saída em MHz;
Ceu= capacitância de carga de saída em pF;
VCC= tensão de alimentação em V;
N = número de comutações de entradas;
∑ (Ceu× VCC2× fo) = soma das saídas.
4. Diagrama funcional