Módulo de poder esperto do diodo do tiristor do módulo de poder do Mosfet de FSBB30CH60F

Módulo de poder esperto do diodo do tiristor do módulo de poder do Mosfet de FSBB30CH60F

Características

• No.E209204 certificado UL (pacote de SPM27-EA)

• Resistência térmica muito baixa devido a usar DBC

• 600V-30A 3 ponte do inversor da fase IGBT que inclui o controle CI para a condução e a proteção da porta

• Terminais negativos divididos da C.C.-relação para aplicações de detecção atuais do inversor

• fonte de alimentação Único-aterrada devido a HVIC incorporado

• Avaliação do isolamento de 2500Vrms/min.

Aplicações

• C.A. 100V ~ movimentação trifásica do inversor 253V para movimentações pequenas do motor de C.A. do poder

• Aplicações dos aparelhos eletrodomésticos como o condicionador de ar e a máquina de lavar.

Descrição geral

É um módulo de poder esperto avançado (SPMTM) que Fairchild tem recentemente desenvolvido e projeta fornecer as movimentações do muito compactas e elevado desempenho de C.A. do motor que visam principalmente a aplicação inversor-conduzida lowpower como o condicionador de ar e a máquina de lavar. Combina a proteção e a movimentação de circuito aperfeiçoada combinadas a IGBTs de pequenas perdas. A confiança de sistema é aumentada mais pela proteção integrada do fechamento e do shortcircuit da sob-tensão. O HVIC incorporado de alta velocidade fornece a capacidade de condução da porta da único-fonte IGBT do acoplador ótico-menos que mais para reduzir o tamanho total do projeto de sistema do inversor. Cada corrente da fase do inversor pode ser separadamente monitorado devido aos terminais negativos divididos da C.C.

Funções de poder integradas

• Inversor de 600V-30A IGBT para a conversão de poder trifásica de DC/AC (consulte por favor para figurar 3)

Funções de controle integradas da movimentação, da proteção e do sistema

• Para o alto-lado IGBTs do inversor:

Circuito de movimentação da porta, deslocamento de alta velocidade isolado de alta tensão do nível

Proteção (UV) da sob-tensão do circuito de controle

• Para o baixo-lado IGBTs do inversor:

O circuito de movimentação da porta, procura um caminho mais curto a proteção (o SC)

Proteção (UV) da sob-tensão da rede elétrica pública do controle

• Sinalização da falha: Correspondência a uma falha UV (fonte do Baixo-lado)

• Relação entrada: 3.3/5V CMOS/LSTTL compatível, entrada de disparador de Schmitt

Avaliações máximas absolutas (TJ = 25°C, salvo disposição em contrário)

Peça do inversor

Nota:

1. A avaliação máxima da temperatura de junção das microplaquetas do poder integradas dentro do SPM é 150°C (≤ de @TC 100°C). Contudo, para segurar a operação segura do SPM, a temperatura de junção média deve ser limitada ao ≤ 125°C _de TJ _(avenida) (≤ de @TC 100°C)

Pin Configuration

Pinos internos do circuito equivalente e do entrada/saída

Oferta conservada em estoque (venda quente)