Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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MT29F64G08CBABAWP:B IC Chip de memória NAND FLASH 8GX8 PLASTIC PBF TSOP 3.3V MASS STORGE
Características
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 compatível1
• Tecnologia de células de nível único (SLC)
• Organização ️ Tamanho da página x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes) ️ Tamanho da página x16: 1056 palavras (1024 + 32 palavras) ️ Tamanho do bloco: 64 páginas (128K + 4K bytes) ️ Tamanho do plano:2 planos x 2048 blocos por plano: 4Gb: 4096 blocos; 8Gb: 8192 blocos 16Gb: 16.384 blocos
• Desempenho de E/S assíncrono ¥ tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Desempenho da matriz: ¢ Página de leitura: 25μs 3 ¢ Página do programa: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V) 3 ¢ Bloco de apagamento: 700μs (TYP)
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avançados ️ Modo de cache da página do programa4 ️ Modo de cache da página de leitura4 ️ Modo de programação pontual (OTP) ️ Comandos de dois planos 4 ️ Operações de matriz intercalada (LUN) ️ Identificador único de leitura ️ Bloqueio de bloqueio (1.8V somente) ¢ Movimento de dados internos
• O byte de estado da operação fornece um método de software para detectar
• O sinal Ready/Busy# (R/B#) fornece um método de hardware de detecção da conclusão da operação
• sinal WP#: Proteger todo o dispositivo
| Atributos do produto | Selecione Todos |
| Categoria | Circuitos integrados (CI) |
| Memória | |
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Série | - |
| Estatuto da parte | Atividade |
| Tipo de memória | Não voláteis |
| Formato de memória | Flash |
| Tecnologia | Flash - NAND |
| Tamanho da Memória | 64 GB (8G x 8) |
| Escreva o tempo do ciclo - palavra, página | - |
| Interface de memória | Paralelo |
| Voltagem - Fornecimento | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |