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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

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IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta

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China IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta wholesale
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IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta
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Number modelo :IRGB10B60KDPBF
Lugar de origem :Alemanha
Quantidade de ordem mínima :5-10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :10,000pcs
Prazo de entrega :em 2-3days conservado em estoque
Detalhes de empacotamento :Tubo
Descrição :IGBT NPT 600 V 22 A 156 W através do furo TO-220AB
PN :IRGB10B60KDPBF
Tipo :Diodo macio Ultrafast isolado da recuperação do transistor bipolar da porta
Original :ALEMANHA
Tensão :IGBT 600V 22A 156W
pacote :TO220AB
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IRGB10B60KDPBF Transistor Bipolar com Diodo de Recuperação Superrápido

600V 22A 156W TO220AB

Características
• Baixo VCE (on) Não Punch através da tecnologia IGBT.
• Baixa frequência VF de diodo.
• Capacidade de curto-circuito de 10 μs.
• RBSOA quadrada.
• Características de recuperação inversa do diodo ultra- macio.
• Coeficiente de temperatura VCE (on) positivo.
• Sem chumbo
Benefícios
• Eficiência de referência para o controlo motor.
• Desempenho transitório robusto.
• Baixa EMI.
• Excelente partilha de corrente em operação paralela.
Número da parte IRGB10B60KDPBF
Fabricante Infineon
Categorias Produtos semicondutores discretos Transistores - IGBTs - Fabricante único Infineon
Embalagem Tubos
Origem Alemanha.
Estatuto da parte Atividade
Tipo IGBT TNP
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) 600 V
Corrente - colector (Ic) (máximo) 22A
Corrente - Colector pulsado (Icm) 44A
VCE (on) (Max) @ Vge Ic 2.2V @ 15V 10A
Potência - Máximo 156W
Mudança de energia 140 μJ (acendido) 250 μJ (desligado)
Tipo de entrada Padrão
Taxa de entrada 38nC

Etiquetas de Produtos:

insulated gate bipolar transistor igbt

igbt gate voltage

mosfet igbt
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