2SD1899 NPN PNP Transistores NPN de Potência de Silício
Descrição
·Baixa tensão de saturação do colector
·100% testado em avalanche
·Variações mínimas de lote para lote para um desempenho robusto do dispositivo e uma operação fiável
Aplicações
·Aplicações de alta frequência de transição
Especificações
Categoria: BJT - Finalidade geral
Fabricante: RENESAS TECHNOLOGY
Corrente do colector (DC): 3 ((A)
Voltagem de base do colector: 60 V
Voltagem colector-emissor: 60 ((V)
Voltagem de base do emissor: 7 ((V)
Frequência: 120 (MHz)
Dissipação de energia: 2 ((W)
Instalação: Instalação na superfície
Intervalo de temperatura de funcionamento: -55 oC a 150 oC
Tipo de embalagem: TO-252
Número de pinos: 2 + Tab
Número de elementos: 1
Classificação de temperatura de funcionamento: Militar
Categoria: Potência bipolar
Rad endurecido: Não
Polaridade do transistor: NPN
Potência de saída: Não é necessária ((W)
Configuração: Único
Ganhos de corrente contínua: 60@0,2A@2V/50@2A@2V
