categoria principal da produção do manequim das bolachas de 4inch 6inch 8inch 4H-N sic para SBD MOS Device, categoria da produção da bolacha de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate para dispositivos da radiofrequência
Sic característica
Sic (carboneto de silicone) é um material composto consiste no silicone (si) e o carbono (c), que tem a dureza alta e resistência térmica, e é quimicamente estável.
Porque tem um bandgap largo, a aplicação ao material do semicondutor está obtendo promovida.
Com a precisão alta e o sistema de moedura rígido alto de nosso moedor da borda, o revestimento liso pode ser conseguido mesmo com sic a bolacha que é difícil cortar o material.
Comparação de materiais de terceira geração do semicondutor
Sic de cristal é um material de terceira geração do semicondutor, que tenha grandes vantagens nas encenações da baixa potência, da miniaturização, as de alta tensão e as de alta frequência da aplicação. Os materiais de terceira geração do semicondutor são representados pelo carboneto de silicone e pelo nitreto do gálio. Comparado com as duas gerações precedentes de materiais do semicondutor, a vantagem a mais grande está a sua largura faixa-livre larga, que se assegura de que possa penetrar uma força de campo elétrico mais alta e se é apropriada para preparar dispositivos de poder de alta tensão e de alta frequência.
Classificação
As carcaças do carboneto de silicone sic podem ser divididas em duas categorias: (V-lubrificado) carcaças semi-isoladas do carboneto de silicone un-dopend da pureza alta e 4H-SEMI com resistividade alta (resistorivity ≥107Ω·cm), e carcaças condutoras do carboneto de silicone com baixa resistividade (a escala da resistividade é 15-30mΩ·cm).
Aplicação
Especificação para bolachas de 8inch 4H-N sic. (2inch, 3inch 4inch, sic bolacha 8inch igualmente está disponível)
- Tamanho: 8inch;
- Diâmetro: 200mm±0.2;
- Espessura: 500um±25;
- Orientação de superfície: 4 para [11-20] ±0.5°;
- Orientação do entalhe: [1-100] ±1°;
- Profundidade do entalhe: 1±0.25mm;
- Micropipe: <1cm2>
- Encantar placas: Nenhuns permitiram;
- Resistividade: 0.015~0.028Ω;
- EPD:<8000cm2>
- TED:<6000cm2>
- BPD:<2000cm2>
- TSD:<1000cm2>
- SF: área<1>
- TTV≤15um;
- Warp≤40um;
- Bow≤25um;
- Áreas polis: ≤5%;
- Risco: <5 and="" Cumulative="" Length="">
- Microplaquetas/recortes: Nenhuns permitem a largura e a profundidade de D>0.5mm;
- Quebras: Nenhum;
- Mancha: Nenhum
- Borda da bolacha: Chanfradura;
- Revestimento de superfície: Lado dobro polonês, CMP da cara do si;
- Embalagem: gaveta da Multi-bolacha ou único recipiente da bolacha;
-
A corrente sic industrial do carboneto de silicone é dividida na preparação material da carcaça, no crescimento da camada epitaxial, na fabricação do dispositivo e em aplicações a jusante. Os monocristal do carboneto de silicone são preparados geralmente pela transmissão física do vapor (método de PVT), e as folhas epitaxial são geradas então pelo depósito de vapor químico (método do CVD) na carcaça, e os dispositivos relevantes são feitos finalmente. Na corrente industrial sic de dispositivos, devido à dificuldade da tecnologia de fabricação da carcaça, o valor da corrente industrial é concentrado principalmente na relação ascendente da carcaça.
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