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estrutura do monocline da carcaça do óxido do gálio de 10x10mm

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estrutura do monocline da carcaça do óxido do gálio de 10x10mm

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Number modelo :Bolacha de 6INCH GaAs
Lugar de origem :CHINA
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Capacidade da fonte :500PCS/Month
Prazo de entrega :1-4weeks
Detalhes de empacotamento :Filme do ANIMAL DE ESTIMAÇÃO no quarto desinfetado de 100 categorias
Material :Monocristal GaAs
Indústria :bolacha do semicondutor para o ld ou conduzida
Aplicação :a carcaça do semicondutor, conduziu a microplaqueta, janela de vidro ótica, carcaças do dispositivo
Método :CZ
Tamanho :2inch~6inch
Espessura :0.425mm
superfície :cmp/gravado
lubrificado :Si-lubrificado
MOQ :10PCS
categoria :categoria da pesquisa/categoria do manequim
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estrutura do monocline da carcaça do óxido do gálio de 10x10mm


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O cristal de estado estacionário do óxido do gálio tem uma estrutura do monoclinal com dois planos da segmentação (100) e (001). Tanto quanto o processo do crescimento, o processo do crescimento (dos 100) cristais cristalinos do óxido do gálio da fase é mais fácil de crescer, quando o processo do crescimento (dos 001) cristais exigir extremamente altamente controle de processos. Sob as mesmas circunstâncias de processamento, a qualidade de superfície e o rendimento (das 001) superfícies são melhores, e (as 100) superfícies facilmente são fendidas e quebradas, fazendo a difícil conseguir o processamento eficiente e alto da qualidade de superfície. Do lado da aplicação, (os 001) óxidos de cristal principal do gálio da fase são mais apropriados para o uso de dispositivos de semicondutor do poder, assim que é difícil controlar o crescimento (dos 001) cristais de cristal principal do óxido do gálio da fase, mas tem o grande valor industrial, ou não tem o processo do crescimento de grande óxidos de cristal do gálio da fase do cano principal do tamanho (001), lado da aplicação do mercado do óxido do gálio será extremamente difícil promover o processo.

 

Aplicação: Materiais largos do semicondutor do bandgap


Antes de introduzir o óxido do gálio (Ga2O3), deixe-me introduzir um outro termo: materiais largos do semicondutor da diferença de faixa.

A largura de diferença da faixa é um parâmetro característico importante do semicondutor. De acordo com a estrutura de faixa diferente de materiais do semicondutor, os materiais do semicondutor podem ser divididos em dois tipos: diferença de faixa larga e diferença de faixa estreita. Se a largura de diferença da faixa do material do semicondutor é menos do que 2.3eV, está chamado um semicondutor de faixa estreita da diferença. Se a largura de diferença da faixa do material do semicondutor é superior ou igual a 2.3eV, está chamado um semicondutor da diferença da largo-faixa. Maior a largura do bandgap de um material do semicondutor, do maior a energia exigida para seus elétrons à transição à faixa de condução, e assim do mais alta a temperatura e a tensão que o material pode suportar, isto é, menos fácil é transformar-se um condutor.

Os materiais largos do semicondutor da diferença de faixa são muito apropriados para a produção de resistência de radiação, alta frequência, poder superior e os dispositivos eletrónicos integrados alto densidade, que têm a boa resistência de radiação e estabilidade química, velocidade saturada alta da tração do elétron e condutibilidade térmica, propriedades elétricas excelentes e outras características. Nos últimos anos, os materiais largos rapidamente tornando-se do semicondutor da diferença de faixa têm perspectivas largas da aplicação na iluminação do semicondutor, em uma nova geração de uma comunicação móvel, na grade esperta, no trânsito do trilho de alta velocidade, em veículos novos da energia, em produtos eletrónicos de consumo e em outros campos, e são esperados transformar-se os materiais novos chaves que apoiam o desenvolvimento da informação, da energia, do transporte, da defesa nacional e das outras indústrias. A investigação e desenvolvimento da tecnologia relacionada de materiais do semicondutor de largo-Gap está transformando-se umas montanhas estratégicas novas na indústria global do semicondutor.

 
Detalhe da especificação
 
Orientação 100 100 100
Lubrificação UID Magnésio Fe
parâmetro elétrico
1×1017~3×1018cm-3
≥1010Ω·cm
≥1010Ω·cm
arcsec
≤150 ≤150 ≤150
densidade de deslocação cm2 <1×105 cm2 <1×105 cm2 <1×105

 

 


SOBRE NOSSO ZMKJ

ZMKJ localiza na cidade de Shanghai, que é a melhor cidade de China, e nossa fábrica é fundada
na cidade de Wuxi em 2014. Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, carcaças
e custiomized parts.components de vidro ótico amplamente utilizado na eletrônica, sistema ótico,
ótica eletrónica e muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos
e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos personalizados
e serviços para seus projetos do R&D.
 
 
 
Empacotamento – Logistcs
Os interesses de Worldhawk detalham cada do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque.
De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!
 
FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e pela CORRENTE DE RELÓGIO
 e condição do pagamento do depósito de 50%, 50% antes da entrega.
 
Q: Que é o prazo de entrega?
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
 

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 10pcs-30pcs.
Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.

 

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