2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um
Descrição doWafer InP:
Os chips InP (fosfeto de índio) são um material semicondutor comumente utilizado para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho, como fotodiodos, lasers e sensores fotoelétricos.
- Estrutura cristalina: os chips InP adotam uma estrutura cristalina cúbica com uma estrutura de rede altamente ordenada.
- Espaço de energia: os chips InP têm um pequeno espaço de energia direta de cerca de 1,35 eV, que é um material semicondutor na faixa de luz visível.
- Índice de refração: o índice de refração de uma wafer InP varia com o comprimento de onda da luz e é de cerca de 3,17 na faixa visível.
- Conductividade térmica: InP tem uma elevada condutividade térmica de cerca de 0,74 W/ ((cm·K).
- Mobilidade eletrônica: os chips InP têm uma alta mobilidade eletrônica de cerca de 5000 cm^2/(V·s).
- Tamanho do chip: Os chips InP são geralmente fornecidos em forma de chip redondo e podem variar em diâmetro de alguns milímetros a vários polegadas.
- Características da superfície: a superfície do chip InP é geralmente especialmente tratada para melhorar a sua planície e limpeza.
Características doWafer InP:
O chip InP (fosfeto de índio) é amplamente utilizado no campo dos dispositivos optoeletrônicos como material de substrato de dispositivos semicondutores.
- Espaço de energia direta: os chips InP têm um pequeno espaço de energia direta (cerca de 1,35 eV), permitindo que absorvam e emitam sinais de luz na faixa visível de forma eficiente.
- Alta mobilidade eletrônica: os chips InP têm uma alta mobilidade eletrônica (aproximadamente 5000 cm 2 / V · s), o que os torna exibem excelentes propriedades elétricas em dispositivos eletrônicos de alta velocidade.
- Forte efeito fotoelétrico: Os chips InP têm um forte efeito fotoelétrico, o que os torna excelentes em dispositivos como fotodetectores e fotodiodos.
- Estabilidade e confiabilidade: os chips InP possuem boa estabilidade térmica e boas propriedades elétricas, o que lhes permite trabalhar em ambientes de alta temperatura e campo elétrico elevado.
- Técnicas de preparação extensas: as wafers InP podem ser cultivadas por uma variedade de técnicas de preparação, como a deposição de vapor químico metalo-orgânico (MOCVD) e a epitaxia de feixe molecular (MBE).
Parâmetros técnicos deWafer InP:
Ponto |
Parâmetro |
OMS |
Materiais |
InP |
|
Tipo de condução/Dopant |
S-C-N/S |
|
Grau |
Tonto. |
|
Diâmetro |
100.0+/-0.3 |
mm |
Orientação |
(100) +/- 0,5° |
|
Área de dupla lamellar |
Área de cristal único útil com orientação (100) > 80% |
|
Orientação plana primária |
EJ ((0-1-1) |
mm |
Duração plana primária |
32.5+/-1 |
|
Orientação plana secundária |
EJ ((0-11) |
|
Duração plana secundária |
18+/-1 |
|
Aplicações deWafer InP:
O chip InP (fosfeto de índio), como material de substrato de dispositivos semicondutores, possui excelentes propriedades fotoelétricas e elétricas.Os seguintes são algumas das principais áreas de aplicação dos materiais de substrato de chips InP:
- Comunicação óptica: Pode ser usada para fabricar transmissores de luz (como lasers) e receptores de luz (como fotodiodos) em sistemas de comunicação de fibra óptica.
- Detecção e detecção ópticas: os fotodetectores baseados em chips InP podem converter eficientemente sinais ópticos em sinais eléctricos para comunicação óptica, medição óptica,análise espectral e outras aplicações.
- Tecnologia a laser: os lasers baseados em INP são amplamente utilizados em comunicação óptica, armazenamento óptico, liDAR, diagnóstico médico e processamento de materiais.
- Circuitos integrados optoeletrônicos: os chips InP podem ser utilizados para fazer circuitos integrados optoeletrônicos (OEics),que é a integração de dispositivos optoeletrônicos e dispositivos eletrónicos no mesmo chip.
- Células solares: os chips InP têm uma elevada eficiência de conversão fotoelétrica, pelo que podem ser utilizados para fabricar células solares eficientes.

Perguntas frequentes:
Q1: Qual é o nome da marcaWafer InP?
A1: OFósforo de ínioé feita pela ZMSH.
Q2: Qual é o diâmetro doFósforo de ínio?
A2: Diâmetro doFósforo de ínioé 2'', 3'', 4''.
Q3: Onde está oFósforo de ínio- De onde?
A3: OFósforo de ínioÉ da China.
Q4: É oFósforo de ínioCertificado ROHS?
A4: Sim, oFósforo de ínioé certificado ROHS.
Q5: QuantosFósforo de ínioPosso comprar waffles de uma vez?
A5: A quantidade mínima de encomenda do produtoFósforo de ínioSão 5 peças.
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