SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

COMÉRCIO FAMOSO CO. DE SHANGHAI, LTD Para a boa reputação, pela melhor qualidade, com a eficiência a mais rápida.

Manufacturer from China
Fornecedor verificado
8 Anos
Casa / Produtos / Indium Phosphide Wafer /

2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um

Contate
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Visite o site
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:MrWang
Contate

2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um

Pergunte o preço mais recente
Número do modelo :Orifícios de fosfato de ídio
Local de origem :China
Quantidade mínima de encomenda :5pcs
Condições de pagamento :T/T
Tempo de entrega :em 15 dias
Detalhes da embalagem :caixa personalizada
Materiais :Fósforo de ínio
orientação :100+/- 0,05 graus
Diâmetro :2inch 3inch 4inch
curva :≤10μm
Revestimento de superfície :Polido
Aspereza de superfície :Ra< 0,2 nm
TTV :< 8um
Espessura :350um 500um 600um
Tipo :Carcaças
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um

Descrição doWafer InP:

Os chips InP (fosfeto de índio) são um material semicondutor comumente utilizado para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho, como fotodiodos, lasers e sensores fotoelétricos.

  • Estrutura cristalina: os chips InP adotam uma estrutura cristalina cúbica com uma estrutura de rede altamente ordenada.

  • Espaço de energia: os chips InP têm um pequeno espaço de energia direta de cerca de 1,35 eV, que é um material semicondutor na faixa de luz visível.

  • Índice de refração: o índice de refração de uma wafer InP varia com o comprimento de onda da luz e é de cerca de 3,17 na faixa visível.

  • Conductividade térmica: InP tem uma elevada condutividade térmica de cerca de 0,74 W/ ((cm·K).

  • Mobilidade eletrônica: os chips InP têm uma alta mobilidade eletrônica de cerca de 5000 cm^2/(V·s).

  • Tamanho do chip: Os chips InP são geralmente fornecidos em forma de chip redondo e podem variar em diâmetro de alguns milímetros a vários polegadas.

  • Características da superfície: a superfície do chip InP é geralmente especialmente tratada para melhorar a sua planície e limpeza.

Características doWafer InP:

O chip InP (fosfeto de índio) é amplamente utilizado no campo dos dispositivos optoeletrônicos como material de substrato de dispositivos semicondutores.

  • Espaço de energia direta: os chips InP têm um pequeno espaço de energia direta (cerca de 1,35 eV), permitindo que absorvam e emitam sinais de luz na faixa visível de forma eficiente.

  • Alta mobilidade eletrônica: os chips InP têm uma alta mobilidade eletrônica (aproximadamente 5000 cm 2 / V · s), o que os torna exibem excelentes propriedades elétricas em dispositivos eletrônicos de alta velocidade.

  • Forte efeito fotoelétrico: Os chips InP têm um forte efeito fotoelétrico, o que os torna excelentes em dispositivos como fotodetectores e fotodiodos.

  • Estabilidade e confiabilidade: os chips InP possuem boa estabilidade térmica e boas propriedades elétricas, o que lhes permite trabalhar em ambientes de alta temperatura e campo elétrico elevado.

  • Técnicas de preparação extensas: as wafers InP podem ser cultivadas por uma variedade de técnicas de preparação, como a deposição de vapor químico metalo-orgânico (MOCVD) e a epitaxia de feixe molecular (MBE).

Parâmetros técnicos deWafer InP:

Ponto Parâmetro OMS
Materiais InP
Tipo de condução/Dopant S-C-N/S
Grau Tonto.
Diâmetro 100.0+/-0.3 mm
Orientação (100) +/- 0,5°
Área de dupla lamellar Área de cristal único útil com orientação (100) > 80%
Orientação plana primária EJ ((0-1-1) mm
Duração plana primária 32.5+/-1
Orientação plana secundária EJ ((0-11)
Duração plana secundária 18+/-1

Aplicações deWafer InP:

O chip InP (fosfeto de índio), como material de substrato de dispositivos semicondutores, possui excelentes propriedades fotoelétricas e elétricas.Os seguintes são algumas das principais áreas de aplicação dos materiais de substrato de chips InP:

  • Comunicação óptica: Pode ser usada para fabricar transmissores de luz (como lasers) e receptores de luz (como fotodiodos) em sistemas de comunicação de fibra óptica.

  • Detecção e detecção ópticas: os fotodetectores baseados em chips InP podem converter eficientemente sinais ópticos em sinais eléctricos para comunicação óptica, medição óptica,análise espectral e outras aplicações.

  • Tecnologia a laser: os lasers baseados em INP são amplamente utilizados em comunicação óptica, armazenamento óptico, liDAR, diagnóstico médico e processamento de materiais.

  • Circuitos integrados optoeletrônicos: os chips InP podem ser utilizados para fazer circuitos integrados optoeletrônicos (OEics),que é a integração de dispositivos optoeletrônicos e dispositivos eletrónicos no mesmo chip.

  • Células solares: os chips InP têm uma elevada eficiência de conversão fotoelétrica, pelo que podem ser utilizados para fabricar células solares eficientes.

2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um

Perguntas frequentes:

Q1: Qual é o nome da marcaWafer InP?
A1: O
Fósforo de ínioé feita pela ZMSH.

Q2: Qual é o diâmetro doFósforo de ínio?
A2: Diâmetro do
Fósforo de ínioé 2'', 3'', 4''.

Q3: Onde está oFósforo de ínio- De onde?
A3: O
Fósforo de ínioÉ da China.

Q4: É oFósforo de ínioCertificado ROHS?
A4: Sim, o
Fósforo de ínioé certificado ROHS.

Q5: QuantosFósforo de ínioPosso comprar waffles de uma vez?
A5: A quantidade mínima de encomenda do produto
Fósforo de ínioSão 5 peças.

Outros produtos:

Óleos de potássio

2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um

Inquiry Cart 0