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6 "Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Wafers de semicondutores de grau fictício LED 5G grau D

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6 "Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Wafers de semicondutores de grau fictício LED 5G grau D

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Número do modelo :4H-Semi SIC
Local de origem :China
Quantidade mínima de encomenda :25pcs
Condições de pagamento :T/T
Tempo de entrega :em 30 dias
Detalhes da embalagem :caixa personalizada
material :HPSI 4h-Semi SIC
Grau :D
Diâmetro :150 ± 0,2 mm
Espessura :500 ± 25 μm
LTV :≤ 10 μm ((5 mm*5 mm)
TTV :≤ 20 μm
curva :-45 μm~45 μm
urdidura :≤ 55 μm
Resistividade :70% de área > 1 E5ohm·cm
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6 ̊ Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Wafers semicondutores de grau fictício 5G LED

Descrição:

4H-SiC semisolador4H-SIC) é um material especial de carburo de silício.Na estrutura cristalina, o SIC semicondutor 4H tem propriedades semicondutoras, enquanto o carburo de silício semicondutor semicondutor 4H semi-isolado tem características de resistência mais elevadas,que apresentem propriedades semelhantes às dos isoladores.De peso superior a 200 g/m2Carburo de silício semicondutor 4Htem aplicações importantes nasemicondutoresFabricação de dispositivos, especialmente em aplicações de alta potência e de alta temperatura.Silicio semi-isolado carburopode ser utilizado como resistor, camada de isolamento, ousubstratosPara ajudar a reduzir a interligação de corrente e as interferências entre dispositivos.4Hindica a estrutura cristalina docarburo de silício.4H-carbono de silícioé uma forma de estrutura cristalina na qual os átomos de silício e carbono formam uma estrutura cristalina estável.

Características:

Características

Descrições

Propriedade de alta temperatura

O carburo de silício semicondutor 4H possui excelentes características de alta temperatura e pode funcionar em ambientes de alta temperatura.

Resistência à alta pressão

O carburo de silício semicondutor 4H possui alta resistência ao campo elétrico de degradação e resistência à tensão, o que o torna adequado para aplicações de alta tensão, como eletrônica de potência.

Resposta de alta requerencia

O carburo de silício semicondutor 4H possui alta mobilidade eletrônica e características de baixa capacitância, permitindo comutação de alta velocidade e conversão de potência com baixa perda.

Perda baixa de arranque

O SIC 4H-semi tem uma baixa perda de ligação-desligação, ou seja, menos perda de energia no estado condutor, reduzindo a perda de calor na conversão de energia.

Alta resistência à radiação

O SIC 4H-semi tem uma alta resistência à radiação e pode manter um desempenho estável em ambientes de alta radiação.

Boa condutividade térmica

O SIC de 4H-semi tem boa condutividade térmica e pode efetivamente transferir e dispersar calor.

Alta resistência química

O SIC 4H-semi possui alta resistência à corrosão química e oxidação para manter um desempenho estável em ambientes adversos.

Parâmetros técnicos:

Produção

Investigação

Tonto.

Tipo

4H

4H

4H

Resistividade ((ohm·cm)

≥ 1E9

100% de área>1E5

70% da área> 1E5

Diâmetro

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

Espessura

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

Eixo

<0001>

<0001>

<0001>

TTV

≤ 5 μm

≤ 10 μm

≤ 20 μm

LTV ((5 mm*5 mm)

≤ 3 μm

≤ 5 μm

≤ 10 μm

Incline-se.

-25 μm~25 μm

- 35 μm ~ 35 μm

-45 μm~45 μm

Warp.

≤ 35 μm

≤ 45 μm

≤ 55 μm

Ra ((5um*5um)

Ra≤0,2 nm

Ra≤0,2 nm

Ra≤0,2 nm

Densidade dos microtubos

≤ 1ea/cm2

≤ 10ea/cm2

≤ 15ea/cm2

Aplicações:


1O substrato 4H-semi SIC de alta pureza pode ser utilizado em dispositivos electrónicos de potência.


2O SIC 4H-semi de alta pureza pode ser usado para fabricar dispositivos optoeletrônicos.


3O SIC de alta pureza 4H-semi pode ser usado como dispositivo de amplificador de potência de alta frequência.

4O SIC de alta pureza 4H-semi pode ser usado para fabricar células solares eficientes.


5O SIC 4H-semi de alta pureza pode ser utilizado para fabricar dispositivos LED (diodos emissores de luz).


6O SIC 4H-semi de alta pureza tem aplicações importantes em dispositivos eletrônicos de alta temperatura.


7. alta pureza 4H-semi SIC pode ser usado pode ser usado para fabricar vários tipos de sensores

6

Outros produtos conexos:

4H-N SIC:

6

Perguntas frequentes:

Q: O que é a certificação deHPSI 4h-semi SIC?

A: A certificação deHPSI 4h-semi SICé ROHS.

P: Qual é a marca deHPSI 4h-semi SIC?

A: O nome da marcaHPSI 4h-semi SICé ZMSH.

P: Onde é o local de origem deHPSI 4h-semi SIC?

A: O local de origemHPSI 4h-semi SICé a CHINA.

Q: Qual é o MOQ deHPSI 4h-semi SIC por vez?

A: O MOQ deHPSI 4h-semi SICSão 25 peças de cada vez.

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