2 ̊ S Dopped GaP Semiconductor EPI Wafer N Tipo P Tipo 250um 300um Diodos Emitentes de Luz
Descrição:
O fosfeto de gálio (GaP) é um composto do grupo III-V. A aparência é cristal transparente vermelho-laranja.Diodos emissores de luz verdes e laranjas de brilho baixo a médioA sua vida é mais curta em correntes elevadas, e a sua vida é também bastante sensível à temperatura.O fosfeto de gálio (GaP) é um composto inorgânico e um material semicondutor com uma diferença de energia indireta de 2.26eV (300K). Seu material policristalino é laranja claro. O fosfeto de gálio é inodoro e não se dissolve em água. Para se tornar um semicondutor de tipo N, enxofre ou telúrio devem ser dopados,e para fazer um semicondutor tipo P, o zinco deve ser dopado.
Características:
Material semicondutor Fosfeto de gálio (Gap), é composto de gálio (Ga) e fósforo (P) sintético de compostos semicondutores do grupo iii-v, à temperatura ambiente,A sua maior pureza é o sólido transparente vermelho-laranjaO fosfeto de gálio é um material importante para a produção de dispositivos semicondutores de emissão de luz visível, utilizados principalmente para a fabricação de retificadores, transistores, guias de luz,Diodo laser e elementos de arrefecimentoO fosfeto de gálio e o arsenieto de gálio são semicondutores com propriedades eletroluminescentes e são os chamados semicondutores de terceira geração, depois do germânio e do silício.O arseneto de gálio LED tem alta eficiência quântica, estrutura de dispositivo compacta e simples, alta resistência mecânica e longa vida útil, e pode ser usado em "telefone óptico".
Parâmetros:
| Números |
Parâmetros |
| Cores |
Laranja transparente Vermelho |
| Diâmetro |
50.6+0.3 |
| Espessura |
175 225 |
| Suplementos |
S |
| Densidade |
4.138 g/cm3
|
| Ponto de fusão |
1477 °C
|
| Método de crescimento |
LEC |
| Solubilidade |
Solúvel |
| Orientação |
(111) A 0°+0.2 |
| Índice de refração |
4.3 |
| Warp. |
10um |
| Incline-se. |
10um |
| TTV |
10um |
| Grau |
A |
Aplicação:
O fosfeto de ínio (InP) é um composto III ~ V com estrutura cristalina de esfarerita, constante de rede de 5,87 × 10-10 m, lacuna de banda de 1,34 eV e mobilidade de 3000 ~ 4500 cm 2 / (V.S) à temperatura ambiente.Os cristais InP têm muitas vantagens, tais como alta velocidade de deriva de elétrons saturados, forte resistência à radiação, boa condutividade térmica e alta eficiência de conversão fotoelétrica, e são amplamente utilizados na comunicação óptica,Dispositivos de ondas milimétricas de alta frequênciaNo futuro, a procura de componentes irá ligar as aplicações das comunicações 5G,Eletrónica e comunicações ópticas para automóveis com características de alta velocidade, alta frequência e alta potência, e a segunda e terceira geração de semicondutores compostos devem romper a Lei de Moore dos semicondutores de silício.
Outros produtos:
Orifícios de GaAs:
Perguntas frequentes
P: Qual é a marca deS Dopped GaP?
A: O nome da marcaS Dopped GaPé ZMSH.
Q: O que é a certificação deS Dopped GaP?
A: A certificação deS Dopped GaPé ROHS.
P: Onde é o local de origem deS Dopped GaP?
A: O local de origemS Dopped GaPé a CHINA.
Q: Qual é o MOQ deS Dopped GaP ao mesmo tempo?
A: O MOQ deS Dopped GaPSão 25 peças de cada vez.
