Wafers GaP transparentes laranja sem topágio P Tipo N Tipo 200um 350um 5G Emitentes de luz
Descrição:
Gallium Phosphide GaP, um semicondutor importante de propriedades elétricas únicas como outros materiais compostos III-V, cristaliza na estrutura cúbica ZB termodinâmicamente estável,é um material cristalino semitransparente de cor laranja-amarelo com um intervalo de banda indireta de 2.26 eV (300K), que é sintetizado a partir de gálio e fósforo de alta pureza de 6N 7N, e transformado em cristal único pela técnica Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).O cristal de fosfeto de gálio é dopado com enxofre ou telúrio para obter um semicondutor de tipo n, e zinco dopado como condutividade de tipo p para fabricação posterior em wafer desejado, que tem aplicações em sistemas ópticos, dispositivos eletrônicos e outros optoeletrônicos.A bolacha GaP de cristal único pode ser preparada Epi-Ready para o seu LPEAplicação epitaxial de MOCVD e MBE.A condutividade n-tipo ou não dopada na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecida em tamanho 2′′ e 3′′ (50mm), 75 mm de diâmetro), orientação < 100>, < 111> com acabamento de superfície de processo de corte, polir ou epi-pronto.
Características:
Ampla faixa de banda adequada para emitir comprimentos de onda específicos de luz.Wafer GaP Excelentes propriedades ópticas que permitem a produção de LEDs de várias cores.
Alta eficiência na geração de luzes vermelhas, amarelas e verdes para LEDs.Capacidade superior de absorção de luz em comprimentos de onda específicos.Boa condutividade elétrica que facilita os dispositivos eletrónicos de alta frequência. Wafer GaP Estabilidade térmica adequada para um desempenho confiável Estabilidade química adequada para processos de fabricação de semicondutoresGaP Wafer Parâmetros de rede favoráveis para o crescimento epitaxial de camadas adicionais. Capacidade de servir como substrato para deposição de semicondutores. Wafer GaP Material robusto com alta condutividade térmica. Excelentes capacidades optoeletrônicas para fotodetectores.Versatilidade na concepção de dispositivos ópticos para faixas de comprimento de onda específicas
Parâmetros técnicos:
| Números |
Parâmetros |
| Cores |
Laranja transparente Vermelho |
| Diâmetro |
6 ¢ 8 ¢ |
| Espessura |
200um 350um |
| Tipo |
Tipo P Tipo N |
| Densidade |
4.250 g/cm3 |
| Ponto de fusão |
1478 °C |
| Método de crescimento |
LPE |
| Solubilidade |
solúvel |
| Orientação |
(110) A 0°+0.2 |
| Índice de refração |
3.19 |
| Warp. |
8um |
| Incline-se. |
8um |
| TTV |
8um |
| Grau |
P R A |
| Origem |
China |
| Aplicação |
5G |
Aplicações:
O fosfeto de gálio cristal único através de fatias, epitaxia e outros processos pode ser feito em dispositivos sólidos emissores de luz, sua vida é longa, é semi-permanente.Este dispositivo desenvolveu-se rapidamente e é amplamente utilizado em instrumentos, computadores e relógios eletrónicos, etc., para a luz de exibição digital ou de indicador, pode emitir luz vermelha ou verde, etc. (o comprimento de onda luminoso varia com o doping).Os primeiros aparelhos emissores de luz feitos de arsênico de gálio precisavam de uma corrente de 100 miliamps para emitir 20 mililumens por palavraO mesmo dispositivo emissor de luz feito de fosfeto de gálio requer apenas 10 miliampères de corrente para emitir 20 mililumens.A eficiência do tubo emissor de luz de fosfeto de gálio fabricado pelo método de epitaxia de duas camadas é de 4-5%.Wingloff considera que o principal fator que afecta a eficiência dos dispositivos emissores de luz de fosfatos de gálio é a densidade de deslocação no cristal.e a eficiência luminosa é baixa quando a densidade de deslocamento é elevada.
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Perguntas frequentes:
Q: Qual é a marca doWafers GaP?
A: A marca do produtoWafers GaPé ZMSH.
Q: O que é a certificação doWafers GaP?
A: A certificação doWafers GaPé ROHS.
P: Onde se encontra o local de origem doWafers GaP?
A: O local de origem doWafers GaPé a CHINA.
Q: Qual é o MOQ doGaP Wafers por vez?
A: O MOQ doWafers GaPSão 25 peças de cada vez.
