GaP Wafers semi-isolados P Tipo N Tipo 400um 500um Verde LED Vermelho Verde Emissão de luz
Descrição:
O fosfeto de gálio é um material semicondutor comumente utilizado, que possui as características de alta condutividade e alta eficiência de conversão fotoelétrica.O fosfeto de gálio pode ser utilizado no fabrico de células solaresO fosfeto de gálio (GaP) é um material fotónico importante que é utilizado há muito tempo como material ativo em diodos emissores de luz verde.O GaP é uma lacuna de banda indirecta (2.26 eV) semicondutor com um elevado índice de refração (n> 3) e não linear de terceira ordem, e transparente na faixa de comprimento de onda de 450 nm a 11 μm.como um cristal não centrosimétrico com um grande coeficiente piezoelétrico não linear de segunda ordem e não nulo, é bem adequado para futuras aplicações fotónicas integradas nas bandas visível, infravermelho próximo, telecomunicações e infravermelho médio.
Características:
Gallium Phosphide GaP, um semicondutor importante de propriedades elétricas únicas como outros materiais compostos III-V, cristaliza na estrutura cúbica ZB termodinâmicamente estável,é um material cristalino semitransparente de cor laranja-amarelo com um intervalo de banda indireta de 2.26 eV (300K), que é sintetizado a partir de gálio e fósforo de alta pureza de 6N 7N, e transformado em cristal único pela técnica Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).O cristal de fosfeto de gálio é dopado com enxofre ou telúrio para obter um semicondutor de tipo n, e zinco dopado como condutividade de tipo p para fabricação posterior em wafer desejado, que tem aplicações em sistemas ópticos, dispositivos eletrônicos e outros optoeletrônicos.A bolacha GaP de cristal único pode ser preparada Epi-Ready para o seu LPEAplicação epitaxial de MOCVD e MBE.A condutividade n-tipo ou não dopada na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecida em tamanho 2′′ e 3′′ (50mm), 75 mm de diâmetro), orientação < 100>, < 111> com acabamento de superfície de processo de corte, polir ou epi-pronto.
Parâmetros técnicos:
| Números |
Parâmetros |
| Cores |
Laranja transparente Vermelho |
| Diâmetro |
2 ¢ 4 ¢ |
| Espessura |
400um 500um |
| Tipo |
Tipo N tipo P |
| Densidade |
4.350 g/cm3 |
| Ponto de fusão |
1500°C |
| Método de crescimento |
VPE |
| Solubilidade |
solúvel |
| Orientação |
(100) |
| Índice de refração |
4.30 |
| Warp. |
5um |
| Incline-se. |
5um |
| TTV |
5um |
| Grau |
R |
| Materiais |
Wafers GaP |
| Origem |
China |
Aplicações:
Dispositivos de iluminação LED: O GaP serve como um material LED utilizado em dispositivos de iluminação e exibição.
Células solares: utilizadas na fabricação de painéis solares para converter a energia solar em energia elétrica.
Instrumentos analíticos espectral: utilizados em laboratórios e pesquisa científica para análise espectral óptica.
Amplificadores semicondutores: aplicados em amplificadores e circuitos integrados para aplicações de RF e microondas.
Fotodetectores: Utilizados em sensores ópticos e detectores para medições ópticas e aplicações de detecção.
Dispositivos RF de microondas: aplicados em circuitos de alta frequência e microondas como componentes de alto desempenho.
Dispositivos electrónicos de alta temperatura: utilizados em dispositivos electrónicos que operam em ambientes de alta temperatura.
Dispositivos eletrônicos de alta frequência: empregados em sistemas eletrônicos de alta frequência, como amplificadores de potência de RF.
Outros produtos:
Wafer GaN:
Perguntas frequentes:
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