- utilizar as bolhas InP para a fabricação de
- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos
- banda directa, emitem luz de forma eficiente, utilizadas em lasers.
- na faixa de comprimento de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, estruturas de poços quânticos
- utilizando técnicas como MOCVD ou MBE, gravação, metalização e embalagem para obter a forma final do dispositivo
Mais informações sobre o InP Laser Epitaxial wafer
As placas epitaxiais InP são filmes finos de alta qualidade baseados em materiais de fosfeto de ínio (InP), que são amplamente utilizados no fabrico de optoeletrônicos e dispositivos eletrônicos de alta frequência.
Cultivados em substratos InP por técnicas como a deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD) ou a epitaxia por feixe molecular (MBE),As placas epitaxial têm excelente qualidade cristalina e espessura controlável.
As características diretas de bandgap desta bolacha epitaxial fazem com que ela funcione bem em lasers e fotodetectores, especialmente para aplicações de comunicação óptica no 1,3 μm e 1.Faixa de comprimento de onda de 55 μm, assegurando a transmissão de dados de baixa perda e largura de banda elevada.
Ao mesmo tempo, a alta mobilidade eletrônica e as características de baixo ruído das placas epitaxiais InP também lhe dão vantagens significativas em aplicações de alta velocidade e alta frequência.
Além disso, com o desenvolvimento contínuo dos circuitos optoelectrónicos integrados e da tecnologia de comunicação de fibra óptica,As perspectivas de aplicação das placas epitaxiais InP estão a tornar-se cada vez mais amplas., e tornou-se um material indispensável e importante nos modernos dispositivos e sistemas optoeletrônicos.
A sua aplicação em sensores,A indústria dos lasers e de outros dispositivos eletrónicos de alto desempenho tem promovido o avanço das tecnologias conexas e lançado as bases para futuras inovações científicas e tecnológicas..
Detalhes da bolacha epitaxial a laser InP
| Parâmetros do produto |
Wafer epitaxial DFB |
Wafer epitaxial DFB de alta potência |
Wafer epitaxial de fotônica de silício |
| Taxa |
10G/25G/50G |
/ |
/ |
| comprimento de onda |
1310 nm |
| tamanho |
2/3 de polegada |
| Características do produto |
CWDM 4/PAM 4 |
BH tech |
PQ /AlQ DFB |
| PL Controle do comprimento de onda |
Melhor do que 3nm |
| LPL Uniformidade do comprimento de onda |
O STD.Dev é melhor do que 1nm @inner |
| Controle da espessura |
42mmMelhor que +3% |
| Uniformidade da espessura |
Melhor do que +3% @inner 42mm |
| Controle de doping |
Melhor que +10% |
| Dopagem P-lnP (cm-3) |
Zn dopado; 5e17 a 2e18 |
| Dopagem N-InP (cm-3) |
Si dopado; 5e17 a 3e18 |
Mais amostras de InP Laser Epitaxial Wafer
* Aceitamos os requisitos personalizados
Sobre nós e a embalagem
Sobre nós
A nossa empresa, ZMSH, é especializada na investigação, produção, processamento e venda de substratos de semicondutores e materiais de cristal óptico.
Temos uma equipa de engenheiros experientes, conhecimentos de gestão, equipamento de processamento de precisão e instrumentos de teste,fornecendo-nos capacidades extremamente fortes no processamento de produtos não-padrão.
Podemos pesquisar, desenvolver e projetar vários novos produtos de acordo com as necessidades do cliente.
A empresa aderirá ao princípio de "centrada no cliente, baseada na qualidade" e se esforçará para se tornar uma empresa de alta tecnologia de primeira linha no campo dos materiais optoeletrônicos.
Sobre a embalagem
Dedicados a ajudar os nossos clientes, usamos folha de alumínio para proteger da luz
Aqui estão algumas fotos.
