SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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DFB Epiwafer InP Substrato Método MOCVD 2 4 6 polegadas comprimento de onda operacional 1,3 μm, 1,55 μm

DFB Epiwafer InP Substrato Método MOCVD 2 4 6 polegadas comprimento de onda operacional 1,3 μm, 1,55 μm
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DFB Epiwafer InP substrato MOCVD método 2 4 6 polegadas comprimento de onda operacional: 1,3 μm, 1,55 μm DFB Epiwafer InP's substrate's Brief DFB ...
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