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Casa / Produtos / SiC Substrate / Wafer de carburo de silício 6H Tipo P Padrão de produção Grau Dia:145.5 mm~150.0 mm Espessura 350 μm ± 25 μm /

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Wafer de carburo de silício 6H Tipo P Padrão de produção Grau Dia:145.5 mm~150.0 mm Espessura 350 μm ± 25 μm

Wafer de carburo de silício 6H Tipo P Padrão de produção Grau Dia:145.5 mm~150.0 mm Espessura 350 μm ± 25 μm
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